Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ ТА ЗМІНИ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛАХ ЕЛЕКТРОНІКИ ПРИ ЛЕГУВАННІ ТА ПОНИЖЕННІ РОЗМІРНОСТІ

СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ ТА ЗМІНИ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛАХ ЕЛЕКТРОНІКИ ПРИ ЛЕГУВАННІ ТА ПОНИЖЕННІ РОЗМІРНОСТІ

Назва:
СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ ТА ЗМІНИ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛАХ ЕЛЕКТРОНІКИ ПРИ ЛЕГУВАННІ ТА ПОНИЖЕННІ РОЗМІРНОСТІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
27,56 KB
Завантажень:
485
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є.ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
РУДЬКО ГАЛИНА ЮРІЇВНА
УДК 535.37; 538.915; 621.328
СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ ТА ЗМІНИ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛАХ ЕЛЕКТРОНІКИ
ПРИ ЛЕГУВАННІ ТА ПОНИЖЕННІ РОЗМІРНОСТІ
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ - 2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова Національної академії наук України
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент Національної академії наук України Валах Михайло Якович, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України, завідувач відділу.
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор Корбутяк Дмитро Васильович
Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Неділько Сергій Герасимович
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, завідувач лабораторії
доктор фізико-математичних наук, професор Блецкан Дмитро Іванович
Ужгородський національний університет, професор кафедри
Провідна установа:
Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, кафедра напівпровідників і наноструктур
Захист відбудеться 27 травня 2005 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, Київ, 03028.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45 Київ, 03028.
Автореферат розісланий 22 квітня 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Поступ електроніки по шляху мініатюризації та покращення ефективності і швидкодії приладів вимагає створення нової елементної бази. Відповідно, виникають нові вимоги до характеристик напівпровідникових матеріалів, і перед матеріалознавцями постає задача забезпечити електроніку такими матеріалами. Існує два шляхи вирішення цієї задачі – пошук нових матеріалів з відповідними властивостями та пошук нових фізичних механізмів, які б могли забезпечити модифікацію властивостей вже відомих матеріалів в заданому напрямку. Одним з найбільш перспективних шляхів модифікації є пониження розмірності матеріалу, створення квантових ям, надграток, квантових дротів та квантових точок. В цих структурах відбувається просторове обмеження носіїв в одному, двох або трьох напрямках, і в результаті енергетична структура напівпровідника зазнає істотних змін. Це призводить до появи нових електронних, екситонних та спінових властивостей відомих напівпровідникових матеріалів, які є цікавими як з точки зору фундаментальної науки, так і з точки зору застосувань у нових надмініатюрних елементах електроніки майбутнього.
Додаткові можливості в отриманні нових властивостей відкриває комбінування пониження розмірності матеріалу з традиційними та новітніми методами легування. Одночасна дія цих двох факторів зумовлює появу нових ефектів, механізми яких потребують всебічного дослідження. Здебільшого основною метою і наслідком легування є зміна електричних характеристик напівпровідників. Сучасні прецизійні методи легування, такі як імплантація та легування при молекулярно-променевій епітаксії, зокрема дельта-легування, дозволяють не лише строго дозувати концентрацію домішки, що вводиться, а й формувати бажаний просторовий розподіл домішок, наприклад, легувати виключно квантову яму, або навіть створювати певний профіль концентрації вільних носіїв у межах квантової ями. За умов одночасної дії двох факторів – пониження розмірності та легування – структура енергетичних зон та електронних переходів напівпровідника набуває нових характеристик, необхідних для практичних застосувань в електроніці.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ ТА ЗМІНИ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛАХ ЕЛЕКТРОНІКИ ПРИ ЛЕГУВАННІ ТА ПОНИЖЕННІ РОЗМІРНОСТІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок