Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МОДИФІКАЦІЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК А2В6 ТА А3В5 ВИСОКОЧАСТОТНИМ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ

МОДИФІКАЦІЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК А2В6 ТА А3В5 ВИСОКОЧАСТОТНИМ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ

Назва:
МОДИФІКАЦІЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК А2В6 ТА А3В5 ВИСОКОЧАСТОТНИМ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,47 KB
Завантажень:
456
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В. Є. ЛАШКАРЬОВА
Редько Роман Анатолійович
УДК 621.315.592,
621.315:548.4,
535.37, 537-962,
537.632
МОДИФІКАЦІЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК А2В6 ТА А3В5 ВИСОКОЧАСТОТНИМ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ
( 01. 04. 07 – фізика твердого тіла )
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної Академії наук України
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук
Мілєнін Віктор Володимирович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України,
старший науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Горбик Петро Петрович,
Інститут хімії поверхні
Національної Академії наук України,
в.о. директора
доктор фізико-математичних наук, професор
Корсунська Надія Овсіївна,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України,
провідний науковий співробітник
Провідна установа: Інститут металофізики Національної Академії наук України, м. Київ
Захист відбудеться “ 16 “ лютого 2007 р. о 1430 на засіданні спеціалізованої вченої ради К.26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 41.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України: 03028 Київ-28, проспект Науки, 45.
Автореферат розіслано “___“ січня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук О.Б. Охріменко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Як відомо, власні та домішкові дефекти, а також комплекси на їхній основі, визначають електричні та оптичні властивості напівпровідників сімейства А2В6 і А3В5, такі як спектри випромінювання та поглинання, провідність, ефекти захоплення та рекомбінації нерівноважних носіїв. Варіюючи концентрацію та склад дефектів, можна цілеспрямовано керувати цими властивостями, що є однією з найважливіших задач напівпровідникової електроніки.
Ефективним і перспективним підходом до вирішення цього завдання є використання надвисокочастотного (НВЧ) випромінювання для спрямованої та керованої перебудови дефектної структури напівпровідників. Об'ємний характер поглинання НВЧ випромінювання напівпровідниковим матеріалом дозволяє здійснювати протікання необхідних реакцій по всій товщині матеріалу, а з використанням імпульсної обробки – робити різні структурні трансформації без змін агрегатного стану основної маси матеріалу. Використовуючи НВЧ опромінювання, можна керувати параметрами не лише напівпровідників, а й готових приладових структур. Проте, для вирішення сформульованого завдання необхідне чітке розуміння природи процесів, які відбуваються в кристалі при дії на нього НВЧ випромінювання різної частоти та потужності.
При очевидних перевагах НВЧ обробок у порівнянні з іншими активними впливами (швидкі термічні відпали, лазерні та радіаційні обробки) як способу спрямованого впливу на різні типи дефектів у напівпровідниках, розрізненість і обмеженість існуючих на сьогодні експериментальних результатів не дозволяє створити послідовну картину впливу електромагнітного випромінювання НВЧ- діапазону на дефектну структуру напівпровідників і встановити особливості перебудови в залежності від режимів опромінювання. В цьому контексті подальший розвиток експериментальних досліджень по виявленню впливу НВЧ випромінювання на напівпровідники є безсумнівно актуальним.
Вивченню впливу випромінювання міліметрового та сантиметрового діапазону довжин хвиль на структурні недосконалості напівпровідників присвячено досить незначну кількість робіт, виконаних в основному на Si, а бінарні сполуки А2В6 і А3В5 практично не досліджені. Відзначимо, що найбільш широке розповсюдження отримала думка, що стимульована НВЧ випромінюванням трансформація дефектної структури пов’язана з тепловою дією електромагнітної хвилі.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: МОДИФІКАЦІЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК А2В6 ТА А3В5 ВИСОКОЧАСТОТНИМ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок