Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками

Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками

Назва:
Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
21,81 KB
Завантажень:
279
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ЛИТВИН ОКСАНА СТЕПАНІВНА
УДК: 539.25+539.26
Морфологічні та структурні зміни в
напівпровідниках А3В5 і А2В6 та
системах на їх основі, стимульовані
післяростовими обробками
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників
Національної академії наук України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук
Прокопенко Ігор Васильович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом електроннозондових методів структурного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем.
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Фекешгазі Іштван Вінцейович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом нелінійних оптичних систем;
доктор фізико-математичних наук, професор
Фодчук Ігор Михайлович,
Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича Міністерства освіти та науки України,
професор кафедри фізики твердого тіла фізичного факультету.
Провідна установа:
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України,
м.Київ
Захист відбудеться | "19" жовтня 2001 р. о ----. 1415 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
в Інституті фізики напівпровідників НАН України
за адресою: 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “15” вересня 2001 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність роботи. Останні кілька десятків років значно інтенсифікувались дослідження, що привели до широкого застосування в електроніці полікристалічних плівок з нових матеріалів і сполук, які характеризуються принципово новими властивостями та можливостями у створенні напівпровідникових приладів. Так, наприклад, вченими відділень та спеціального конструкторсько-технологічного бюро Інституту фізики напівпровідників НАН України та Державного науково-дослідни-цького інституту “Оріон” розроблені нові методи одержання та післяростових обробок напівпровідникових приладних структур плівка-під-кладинка різного типу на основі технологічно важливих бінарних сполук А3В5 і А2В6. Подальша оптимізація методів та їх розвиток до рівня промислових технологій вимагає досліджень, направлених на виявлення структурних змін використовуваних матеріалів, зумовлених зовнішніми впли-вами. Це, зокрема, дослідження структурних та фізико-хімічних властивостей систем в залежності від умов росту плівки, а також при моделюванні екстремальних умов експлуатації.
Наявність перехідної області між контактними матеріалами, розмірний ефект, фазова та структурна нерівноважності (напруги, дислокації та їх скупчення, двійники, дефекти упаковки, точкові дефекти, мікропори, вакансійні кластери тощо) в системах плівка-підкладинка ведуть до того, що в процесі одержання плівок та експлуатації приладів на їх основі можливий перехід в більш рівноважний стан. Такі процеси супроводжуються зміною властивостей, деградацією параметрів пристроїв та виходу їх з ладу. Необхідність розуміння характеру і походження вказаних вище структурних нерівноважностей та можливість прогнозування їх поведінки вимагає пошуку нових методів структурних досліджень та їх експериментальної бази. Зокрема, розвиток електронно-обчислю-вальної техніки та інтегральної електроніки дозволяють поєднати на новому науково-технічному рівні планування фізичного експерименту, його проведення, обробку та аналіз результатів.
Яскравим прикладом такого поєднання може слугувати новітня галузь мікроскопії – атомно-силова мікроскопія поверхні (АСМ). За спектром об’єктів, умовами досліджень та інформативністю метод АСМ цілком співмірний з таким класичним неруйнівним методом досліджень як рентгеноструктурний. Разом з тим, залишається актуальною задача встановлення взаємозв’язку характеристик поверхні із фундаментальними властивостями матеріалів, зокрема, структурними.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок