Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Електричні параметри елементів інтегральних схем в умовах дії радіації

Електричні параметри елементів інтегральних схем в умовах дії радіації

Назва:
Електричні параметри елементів інтегральних схем в умовах дії радіації
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,87 KB
Завантажень:
324
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ОдеськИЙ національнИЙ політехнічнИЙ університет
ХРАМОВ ЄВГЕН ПИЛИПОВИЧ
УДК 621.01:620.179.1
Електричні параметри
елементів інтегральних схем
в умовах дії радіації
05.27.01 – твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Одеса – 2005
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Одеській національній академії зв’язку ім. О.С. Попова Міністерства транспорту та зв’язку України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук,
професор Вікулін Іван Михайлович,
Одеська національна академія зв’язку,
завідувач кафедри фізики
Офіційні опоненти: | доктор технічних наук,
професор Гусєв Володимир Олександрович, Севастопольський державний технічний університет Міністерства освіти і науки України, директор департаменту електронної техніки;
кандидат технічних наук, доцент Завадський Віктор Афанасійович, Одеська національна морська академія Міністерства освіти і науки України, доцент кафедри радіоелектроніки
Провідна установа: | Харківський національний університет радіоелектроніки Міністерства освіти і науки України, кафедра мікроелектроніки
Захист відбудеться “__4__” ____05________2005р о _15__ годині на засіданні спеціалізованої вченої Ради К 41.052.03 при Одеському національному політехнічному університеті за адресою: 65044, м. Одеса, проспект Шевченка, 1.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Одеського національного політехнічного університета за адресою: 65044, м. Одеса, проспект Шевченка, 1.
Автореферат розісланий “_1_” ______04____ 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради _____________ Андріянов О.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Застосування мікроелектроніки в енергетиці, транспорті, апаратурі Чорнобильської зони, космічному приладобудуванні, військовій техніці і інших виробах твердотільної електроніки, якими укомплектовується радіоелектронна апаратура, у системах керування ядерними енергетичними установами, визначає значний інтерес спеціалістів і інженерів до проблеми зміни параметрів інтегральної схемотехніки при опроміненні.
Проблемі формування і поширення електричних сигналів у структурах інтегральних схем (ІС) при опромінюванні присвячено небагато досліджень. Робота присвячена цьому питанню.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами і темами. Робота виконувалася в Одеській національній академії зв'язку ім. А.С.Попова як складова частина науково-дослідної роботи кафедри фізики та проводилася відповідно до координаційних планів НАН України і Мінвузу по проблемі “Фізика напівпровідників”:
3-13-97. Дослідження фізичних механізмів формування профілів розподілу атомів віддачі та радіаційних дефектів при взаємодії заряджених та високоенергетичних частинок з шаруватими структурами на основі напівпровідників.
№ ДР 0197U016514.
3-13-00. Радіаційні ефекти в шаруватих структурах на основі напівпровідників і діелектриків та розробка теоретичних основ радіаційного моніторингу довкілля на основі геоінформаційного моделювання. № ДР 010U002794.
Мета дослідження. Комплексне визначення фізико-електричних процесів в опромінених елементах твердотільної електроніки і тих, що опромінюються, на основі встановлення закономірних зв'язків між процесами радіаційного дефектотворення і електричними процесами в інтегральних схемах, і на основі досліджуваних і виявлених під час досліджень нових електрофізичних явищ запропонувати і розробити методи підвищення радіаційної стійкості.
Для досягнення поставленої мети були сформульовані задачі:
1.
Дослідити зміну параметрів ІС під час опромінення.
2.
Визначити зміну вольт-амперних характеристик резисторних, діодних і транзисторних структур ІС для пояснення причин деформації електричних сигналів під час опромінення ІС. Дослідити зміну нелінійних властивостей компонентів ІС: металевих, напівпровідникових, електронно-діркових і транзисторних структур під впливом потоків гамма-квантів та нейтронів і їх вплив на параметри ІС.
3.
На підставі вивчення фізико-електричних процесів в опромінених структурах розробити технології підвищення радіаційної стійкості ІС.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Електричні параметри елементів інтегральних схем в умовах дії радіації

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок