Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів У телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію

Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів У телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію

Назва:
Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів У телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
36,85 KB
Завантажень:
75
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
Чернівецький національний університет
ІМЕНІ Юрія Федьковича
ХАНДОЖКО Олександр Григорович
УДК 621.315.592; 537.635
Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів
У телуридах свинцю-олова і моноселенідах
індію і галію
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Чернівці –2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Чернівецькому відділенні Інституту проблем
матеріалознавства НАН України
Науковий консультант | доктор фізико-математичних наук, старший
науковий співробітник,
Слинько Євген Іларіонович, завідувач відділу
вузькозонних напівпровідників Чернівецького
відділення Інституту проблем матеріалознавства
НАН України
Офіційні опоненти | доктор фізико-математичних наук, професор,
Берченко Микола Миколайович, професор кафедри напівпровідникової електроніки національного університету "Львівська політехніка"
доктор фізико-математичних наук, старший
науковий співробітник,
Биков Ігор Павлович, провідний науковий
співробітник Інституту проблем матеріалознавства НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор,
Савчук Андрій Йосипович, завідувач кафедри фізики напівпровідників та наноструктур Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича
Провідна установа | Інститут фізики напівпровідників
ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
Захист відбудеться “_23___”_червня____2006 р. о _17__годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2, тел. (8-0372) 52-52-48.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою 58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23.
Автореферат розісланий “19”__травня___2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми досліджень. Вузькозонні напівпровідники А4В6 та їхні тверді розчини відносяться до найбільш важливих матеріалів сучасної оптоелектроніки. Вони знаходять застосування як приймачі та джерела електромагнітного випромінювання інфрачервоного діапазону спектра, давачі температури і тиску при низьких температурах, систем космічного зв'язку та ін. Перспективними матеріалами оптоелектроніки є також шаруваті сполуки А3В6, які характеризуються нелінійними оптичними властивостями. Крім того, вони широко використовуються як накопичувачі електричної енергії.
Привертає увагу той факт, що ряд домішок, які істотно відрізняються за своїми характеристиками (елементи III групи - Al, Ga, In, перехідні метали - Ti, Cr, Eu, Gd), проявляють загальну властивість у сполуках А4В6 - змінну валентність. Це вказує на важливі особливості кристалічної матриці та її вплив на енергетичний спектр введеної домішки.
Енергія індукованих рівнів залежить як від типу дефекту або домішки, так і від характеру їхньої взаємодії з кристалічним оточенням. У такому випадку важливу роль повинні відіграти радіоспектроскопічні методи дослідження. Адже тільки резонансні методи дозволяють одержати інформацію локального характеру, що стосується, зокрема, надтонких взаємодій, локальної симетрії кристала, точкових дефектів, хвильових функцій електронів.
Дотепер дискусійним залишається питання про локалізацію домішок ІІІ групи в сполуках А4В6. За допомогою ядерного магнітного та електронного парамагнітного резонансів (ЯМР, ЕПР) можна однозначно встановити центральне чи нецентральне положення домішкового іона в кристалічній матриці. Наявність у ядра квадрупольного моменту робить його стан чутливим до симетрії оточуючого кристалічного поля. Через квадрупольне розщеплення спектрів ЯМР можна помітити настільки малі зсуви іона від центрального положення, які не виявляються методами рентгенівської дифракції.
Вже перші дослідження ЯМР у PbTe p-типу виявили контактний характер надтонких взаємодій ядер 207Pb з носіями заряду, чим і було встановлено, що дірки біля вершини валентної зони знаходяться в s-стані.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів У телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок