Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА ЕЛЕМЕНТИ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ

ВПЛИВ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА ЕЛЕМЕНТИ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ

Назва:
ВПЛИВ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА ЕЛЕМЕНТИ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
12,56 KB
Завантажень:
363
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ
Григор'єв Євген Володимирович
УДК 537.868
ВПЛИВ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ
НА ЕЛЕМЕНТИ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ
05.27.01 - твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Харків – 2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Таврійському національному університеті ім. В. І. Вернадського
Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник - кандидат фізико-математичних наук, доцент
Старостенко Володимир Вікторович,
Таврійський національний університет
ім.B.І. Вернадського, завідувач кафедри радіофізики та електроніки
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, старший науковий співробітник
Чумаков Володимир Іванович,
Харківський національний університет радіоелектроніки, завідувач кафедри радіоелектронних пристроїв;
кандидат технічних наук,
Карушкін Микола Федорович,
завідувач відділу державного підприємства НДІ „Оріон” (м.Київ).
Провідна установа: ВАТ „Науково-виробниче підприємство „Сатурн” Міністерства промислової політики України (м.Київ).
Захист відбудеться “13” травня 2004 р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К64.052.04 у Харківському національному університеті радіоелектроніки за адресою: 61166, м. Харків, пр. Леніна, 14.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Харківського національного університету радіоелектроніки за адресою: 61166, м. Харків, пр. Леніна, 14
Автореферат розісланий “ 8 ” квітня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Бородiн Б.Г.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Зараз під час передачі та обробки інформації у техніці та повсякденному житті особлива увага приділяється електромагнітним умовам та роботоздатності радіоелектронних засобів під впливом імпульсних електромагнітних полів (ІЕМП) штучного та природного походження. У сучасній радіоапаратурі обробка сигналів зосереджена в інтегральних мікросхемах (ІМС), тому питання про роботоздатність радіоапаратури при впливі ІЕМП, у першу чергу, зводиться до процесів у мікросхемах.
Дослідження впливу імпульсних електромагнітних полів на напівпровідникові прилади (НПП) та ІМС спричинене появою електромагнітних бомб та генераторів надвисоких частот, які спроможні генерувати ІЕМП з потужністю більш ніж 1011 Вт в імпульсі. Це дало можливість цілеспрямовано впливати на бортові та супутникові системи керування з метою виведення їх із ладу. Військовий аспект даної проблеми стимулював проведення фундаментальних досліджень, спрямованих на підвищення стійкості інтегральних мікросхем під впливом потужних ІЕМП та на захист радіоелектронної апаратури від даної зброї.
Дослідження безпосереднього впливу імпульсних електромагнітних полів на НПП і мікросхеми, проведені в США та країнах Західної Європи, в основному зводяться до імітації подібного впливу подачею відеоімпульсу на виводи НПП та ІМС. Така імітація не враховує взаємну орієнтацію НПП та ІМС стосовно електромагнітного поля. Даний фактор визначає величини наведених струмів провідності у провідних мікроструктурних елементах (МСЕ), напругах, які прикладаються до МСЕ на основі p-n-переходу та струмів зсуву в діелектричних структурах. Імітаційна модель не дозволяє врахувати можливість розвитку на кристалі мікросхеми деградаційних процесів декількома шляхами та зв'язати параметри імпульсного електромагнітного поля з результатами впливу.
У цьому зв'язку актуальним є вирішення завдання безпосереднього впливу ІЕМП на мікросхеми з метою з’ясування причин та напрямків розвитку деградаційних явищ у кристалі, виявлення найменш стійких мікроструктурних елементів, визначення граничних значень полів, при яких починаються деградаційні процеси в мікроструктурних елементах та граничних значень полів, при яких відбуваються катастрофічні відмови мікросхем. Необхідно визначити параметри електромагнітної хвилі, які найбільше корелюються зі стійкістю мікросхем.
У роботі подані результати, які стосуються безпосереднього впливу імпульсних електромагнітних полів на мікросхеми у хвилевідному тракті.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ВПЛИВ ІМПУЛЬСНИХ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ НА ЕЛЕМЕНТИ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок