Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею

Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею

Назва:
Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,40 KB
Завантажень:
459
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Національна академія наук України
Інститут фізики напівпровідників
Саріков Андрій Вікторович
УДК 621.315.592
Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико–математичних наук
Київ – 2002


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної академії наук України
Науковий керівник: | член–кореспондент НАН України,
доктор фізико–математичних наук, професор,
Литовченко Володимир Григорович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом фізичних основ інтегральної електроніки
Офіційні опоненти: | доктор фізико–математичних наук, професор
Куліш Микола Родіонович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник відділу лазерної спектроскопії напівпровідників та діелектриків
кандидат фізико–математичних наук,
Пірятинський Юрій Петрович,
Інститут фізики НАН України,
старший науковий співробітник
Провідна установа: | Київський національний університет імені Тараса Шевченка, радіофізичний факультет
Захист відбудеться | 17 травня 2002 р. о 1415 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради K 26.199.01
в Інституті фізики напівпровідників НАН України
за адресою: 03028, Київ, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ, проспект Науки, 45)
Автореферат розісланий “ 15 ” квітня 2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико–математичних наук Охріменко О. Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. За останні десятиліття спостерігається значний прогрес у розвитку фізики та технології формування, а також розробки методів дослідження напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею, в яких значення відношення площі поверхні до об’єму на кілька порядків перевищують ці значення для об’ємного матеріалу. У таких структурах проявляються нові та цікаві як з фундаментальної точки зору, так і для застосування, фізичні властивості, пов’язані з просторовим обмеженням носіїв заряду та значним впливом на них поверхні.
Останнє, зокрема стосується зміни зонної структури і, відповідно, оптичних властивостей розглядуваних матеріалів. Так, у низькорозмірних структурах кремнію (пористий кремній, нанорозмірні кристаліти, ниткоподібні кристали та ін.) спостерігається поява ефективної видимої люмінесценції, яку неможливо отримати у випадку об’ємного матеріалу завдяки його непрямозонності та малій ширині забороненої зони. Дослідження люмінесцентних властивостей низькорозмірних кремнієвих структур дозволяє оцінювати також їх геометричні параметри.
Існує багато робіт, присвячених розробці моделей формування напівпровідникових кремнієвих структур з розвиненою поверхнею, зокрема, пористого кремнію при електрохімічному травленні. У той же час до сьогодні все ще не існує детальної моделі, яка б описувала закономірності утворення пористого шару на будь–якому типі кремнієвої пластини з довільним рівнем легування та давала б змогу дослідити швидкість росту і морфологію отримуваних шарів у залежності від густини струму анодування та концентрації електроліту. Разом з тим у сучасній фізиці пористого кремнію існує тенденція розгляду спрощених моделей його формування, які б давали змогу отримати аналітичний розв’язок. Істотним недоліком аналітичного підходу є практична неможливість прослідкувати, наприклад, за еволюцією радіусів пор по всій товщині пористого шару, а також інших його параметрів. Зважаючи на це, на перший план має вийти метод дослідження формування пористого кремнію, який базується на комп’ютерному моделюванні. Метод комп’ютерного моделювання є набагато гнучкішим у порівнянні з аналітичними підходами і дозволяє описувати закономірності росту структур, більш наближених до пористих шарів, що реально отримані експериментально.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок