Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПАРАМАГНІТНИХ ДОМІШКОВИХ ТА ДЕФЕКТНИХ ЦЕНТРІВ У ПОЛІТИПАХ КАРБІДУ КРЕМНІЮ

ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПАРАМАГНІТНИХ ДОМІШКОВИХ ТА ДЕФЕКТНИХ ЦЕНТРІВ У ПОЛІТИПАХ КАРБІДУ КРЕМНІЮ

Назва:
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПАРАМАГНІТНИХ ДОМІШКОВИХ ТА ДЕФЕКТНИХ ЦЕНТРІВ У ПОЛІТИПАХ КАРБІДУ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
26,82 KB
Завантажень:
292
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
національної академії наук україни
Калабухова Катерина Миколаївна
УДК 537.635; 549.2
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПАРАМАГНІТНИХ ДОМІШКОВИХ ТА
ДЕФЕКТНИХ ЦЕНТРІВ У ПОЛІТИПАХ КАРБІДУ КРЕМНІЮ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ-2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
НАН України
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук
Шаніна Бела Дмитрівна
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, член–кореспондент НАН України
Глинчук Майя Давидівна
Інститут матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України,
завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор, член–кореспондент НАН України
Лисенко Володимир Сергійович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Данилов Вадим Васильович
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри
Провідна установа:
Дніпропетровський національний університет,
кафедра радіоелектроніки
Захист відбудеться 21.04.2005 р. о 14 год. 15 хв.
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.02 при Інституті фізики
напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою:
проспект Науки, 45, Київ, 03028
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників
імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, Київ, 03028
Автореферат розісланий 16.03.2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Карбід кремнію є одним з перспективних широкозонних напівпровідників, на основі якого створюються стабільні високотемпературні, високочастотні та силові прилади і оптоелектронні системи, призначені для роботи у складних екстремальних умовах, зокрема у космосі та авіації.
Значний інтерес, що проявляється у світі до напівпровідникової електроніки на основі SiC, багато в чому визначений успіхами, досягнутими в останнє десятиріччя, в освоєнні методів вирощування монокристалів SiC великих розмірів (порядку 100 мм та більше), що використовуються у якості підкладки при створенні приладів на основі SiC.
Однак, ступінь досконалості отриманих злитків залишається ще порівняно низькою, а вартість достатньо високою. Тому, головною проблемою розвитку напівпровідникової електроніки на основі SiC є отримання вихідного матеріалу з контрольованою якістю та доступною ціною.
Розв’язання проблеми контрольованої якості монокристалів SiC тісно пов’язано з дослідженням природи домішкових та дефектних центрів у SiC та їх поведінки в залежності від умов росту, а також встановленням механізмів дефектоутворення у різних політипах SiC, чому і присвячена дана дисертація.
Відомо, що методи електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та подвійного електронного ядерного резонансу (ПЕЯР) є одними з методів, що широко та ефективно використовуються для дослідження природи домішкових та дефектних центрів у напівпровідникових матеріалах. Основні фізичні властивості парамагнітного центру можуть бути визначені за допомогою таких параметрів спектру ЕПР, як тонка та надтонка структура (ТС) та (НТС), значення g-фактору, температурна залежність форми, ширини та інтенсивності лінії ЕПР.
SiC належить до одних з перших напівпровідникових сполук, у яких були проведені дослідження методом ЕПР мілкої донорної домішки азоту та акцепторної домішки бору, а також різних власних дефектів, що утворюються у процесі росту кристалів SiC. Однак, в силу ряду факторів, отримати достовірні дані про їх природу часто не вдавалося.
Одним з головних факторів, який гальмував дослідження SiC методами ЕПР, є наявність великого числа магнітно-нееквівалентних центрів, які утворюють домішки чи дефекти у гратці SiC у одному і тому ж зарядовому стані.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПАРАМАГНІТНИХ ДОМІШКОВИХ ТА ДЕФЕКТНИХ ЦЕНТРІВ У ПОЛІТИПАХ КАРБІДУ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок