Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА ДЕФЕКТІВ І ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛІВ ГРУПИ А2В6

ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА ДЕФЕКТІВ І ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛІВ ГРУПИ А2В6

Назва:
ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА ДЕФЕКТІВ І ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛІВ ГРУПИ А2В6
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,94 KB
Завантажень:
159
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ІВАНА ФРАНКА
ГРИПА
Оксана Андріївна
УДК 535.37
ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА ДЕФЕКТІВ І
ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНИХ
КРИСТАЛІВ ГРУПИ А2В6
01.04.10 – Фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
ЛЬВІВ – 2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі експериментальної фізики
Львівського національного університету імені Івана Франка.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, професор
Крочук Ананій Савич,
професор кафедри експериментальної фізики
Львівського національного університету
імені Івана Франка,
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Половинко Ігор Іванович,
завідувач кафедри нелінійної оптики
Львівського національного університету
імені Івана Франка,
доктор фізико-математичних наук, професор
Заячук Дмитро Михайлович,
професор кафедра напівпровідникової
електроніки Національного університету
“Львівська політехніка”
Провідна установа: Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича,
Міністерство освіти та науки України
Захист відбудеться 19 лютого 2003 р. о 1530 годині на засіданні спеціалізованої Вченої Ради Д .051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою: 79005 Львів, вул. Драгоманова, 50, аудиторія №1, фізичний факультет.
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка
м. Львів, вул. Драгоманова, 5.
Автореферат розіслано 17 січня 2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої Вченої Ради Павлик Б.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сучасні потреби опто- та фотоелектроніки, кван-тової радіофізики та акустоелектроніки вимагають матеріалів з пев-ни-ми параметрами. Це ставить вимоги до пошуку нових матеріалів та мо-де-лю-ва-ння енергетичної структури вже відомих на сьогоднішній день кристалів різ-них модифікацій. Серед напівпровідникових сполук кристали групи А2В6 мають широкий діапазон практичного застосування. Крім цього, ле-гу-ва-н-ня таких кристалів 3dn-елементами дозволяє в широких межах змі-ню-ва-ти величину, а в деяких випадках і тип провідності. Електронні стани 3dn-йо-нів розщеплюються кристалічним полем матриці, внаслідок чого утво-рю-є-ться багаторівнева система енергетичних станів. Величина цього роз-щеп-ле-н-ня визначається симетрією і величиною кристалічного поля.
Кристали CdTe володіють найвищим електрооптичним коефіцієнтом, ви-сокою рухливістю носіїв та доброю оптичною прозорістю. Тому вони мо-жуть бути використані як фоторефрактивні матеріали. Оскільки такі крис-тали є високоомними, то вони можуть бути використані як на-пів-і-зо-лю-ючі підкладки в напівпровідниковій технології.
На сьогоднішній день добре вивчені внутріцентрові переходи в межах до-мішкових 3dn-йонів (дослідження оптичного поглинання, ЕПР, фо-то-лю-мі-нес-ценції) в кристалах СdTe, ZnTe та CdS, однак ще недостатньо ін-фор-ма-ції про фотопереходи з перенесенням заряду. Тому експериментальні ві-до-мос-ті про глибокі домішкові рівні і фотойонізаційні процеси, зв’язані з ни-ми, мають важливе значення для розвитку теорії сильно локалізованих цен-трів.
Зв’язок з науковими програмами. Дисертаційна робота виконана на кафедрі експериментальної фізики Львівського національного університету імені Івана Франка у відповідності з держбюджетними темами: “Зонна струк-тура, механізми опто-електронних процесів, аномальна оптична ані-зо-тро-пія в діелектричних та напівпровідникових кристалах” (реєстра-цій-ний № V018087, 0197V018121) та “Процеси релаксації електронних збу-джень, енергетична структура дефектів у йонних та йонно-ковалентних крис-талах” (реєстраційний № 0100V001454).
Метою роботи було встановлення механізму входження 3d-йонів у на-пів-провідникові матриці кристалів групи А2В6, симетрії домішкових цен-т-рів і положення відповідних домішкових рівнів в забороненій зоні кристалів.
Наукова новизна одержаних результатів полягає у тому, що в дисер-та-ції вперше:
¦ проведені дослідження фотойонізаційних процесів домішкових комп-лек-сів та їх анізотропії в кристалах групи А2В6;
¦ визначено розміщення енергетичних рівнів домішкових йонів міді різ-них зарядових станів (Сu+{3d10}, Cu2+{3d9}, Cu3+{3d8}) в заборонених зо-нах кристалів, які характеризуються 2Тd- і 4СV- просторовою групою си-мет-рії (CdTe, ZnTe та CdS відповідно).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА ДЕФЕКТІВ І ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛІВ ГРУПИ А2В6

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок