Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)

Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)

Назва:
Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
38,72 KB
Завантажень:
103
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 
Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна
Надточій Віктор Олексійович
УДК 539.4:621.315.592:532.311.322
Мікропластичність алмазоподібних
кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)
Спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Харків  
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики фізико-математичного факультету Слов’янського державного педагогічного університету МОН України
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор
Нечволод Микола Кузьмич,
професор кафедри фізики Слов’янського державного педагогічного університету МОН України
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Бенгус Володимир Зямович,
провідний науковий співробітник Фізико-технічного інституту низьких температур імені Б.І. Вєркіна НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор
Мацокін Вадим Павлович,
професор кафедри фізики кристалів Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна МОН України
доктор фізико-математичних наук, професор
Мамалуй Андрій Олександрович,
завідувач кафедри загальної та експериментальної фізики Національного технічного університету “Харківський політехнічний інститут” МОН України
Провідна установа – Інститут проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України
Захист відбудеться “8” вересня 2006 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.051.03 Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна МОН України за адресою: 61067, м. Харків, пл. Свободи, 4.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна МОН України за адресою: 61067, м. Харків, пл. Свободи, 4.
Автореферат розіслано 2 червня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради В.П. Пойда



Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Рух дислокацій в кристалічній гратці супроводжується розривом і відновленням хімічних зв’язків. У кристалах з решіткою алмазу (Si, Ge) і сфалериту (сполуки А3В5) внаслідок жорсткості атомних зв’язків і їх направленості у просторі рух дислокацій істотно гальмується високим напруженням Пайєрлса – Набарро. Тому вважалось, що пластичність кристалів з ковалентним типом зв’язку проявляється лише при температурах, більших за Т,35 – ,4)Тпл, коли розмноження і рух дислокацій стають помітними. Інформація відносно механізму деформації при температурах Т ,35 Тпл дуже обмежена внаслідок того, що при використанні стандартних методів випробувань (згинання, одновісне стискання або розтягування) не вдається досягти прояву мікропластичності зразків при Т ,35 Тпл через їх руйнування.
Застосування в роботах Трефілова В.І. і Мільмана Ю.В. методу мікротвердості для дослідження пластичності дало змогу встановити, що при низьких температурах (Т ,35 Тпл) температурна залежність мікротвердості алмазоподібних кристалів лінійна, а за високих температур вона має експоненційний вигляд.
У той час як високотемпературна пластичність алмазоподібних кристалів вивчена докладно, особливо завдяки дослідженням Нікітенка В.І., Мишляєва М.М., Мілевского Л.С., Трефілова В.І., Мільмана Ю.В., Концевого Ю.А., Літвінова Ю.М., Мільвідського М.Г., Новікова М.М., Даценка Л.І., Говоркова В.Г., Регеля В.Р., Інденбома В.Л., Орлова О.М., Пєтухова Б.В., Гарбера Р.Й. і їх співробітників, то їх пластичність при низьких температурах вивчена в значно меншій мірі. Метод індентації поверхні, який тривалий час вважався основним методом дослідження пластичності при низьких температурах, не завжди давав змогу виявити рух дислокацій без температурної обробки ковалентних кристалів. Більшість наукових досліджень з низькотемпературної пластичності алмазоподібних кристалів лише констатують можливість дислокаційної мікропластичності, або ж мають непрямі докази її виникнення.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 



Реферат на тему: Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок