Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> УТВОРЕННЯ І РЕКОМБІНАЦІЙНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ n-CdHgTe

УТВОРЕННЯ І РЕКОМБІНАЦІЙНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ n-CdHgTe

Назва:
УТВОРЕННЯ І РЕКОМБІНАЦІЙНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ n-CdHgTe
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,96 KB
Завантажень:
217
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Власенко Зоя Костянтинівна
УДК 621.315.592
УТВОРЕННЯ І РЕКОМБІНАЦІЙНІ ВЛАСТИВОСТІ
НЕОДНОРІДНОСТЕЙ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ n-CdHgTe
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2003
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників
Національної Академії Наук України
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор
Мозоль Петро Овсійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник.
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Баранський Петро Іванович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України, головний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, професор
Гнатенко Юрій Павлович,
Інститут фізики НАН України, завідувач відділу “Оптики та спектроскопії кристалів”.
Провідна установа:
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “21” лютого 2003 р. о 1415 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий “17” січня 2003 року
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Застосування методів і приладів інфрачервоної (ІЧ) фотоелектроніки в системах теплового моніторингу довкілля, діагностичного обладнання в біології та медицині, техніці оптичного зв'язку, апаратурі військового і спеціального призначення і інших галузях наукової, промислової і соціальної сфер дозволяє на якісно новому рівні вирішувати задачі, пов'язані з реєстрацією і контролем параметрів досліджуваних процесів і об'єктів. Важливим для цього є спектральний діапазон 8-12 мкм, оскільки на нього припадають одне з вікон прозорості атмосфери, а також максимуми випромінення тіл, нагрітих до температур оточуючого середовища [1].
Розширення функціональних можливостей ІЧ фотоелектронних пристроїв досягається застосуванням нових принципів отримання і обробки інформації, а також застосуванням нової елементної бази з підвищеними функціональними параметрами або додатковими функціями.
Успіхи в створенні сучасної елементної бази ІЧ-фотоелектронного приладобудування для спектрального діапазону 8-12 мкм в значній мірі обмежуються досягненнями сучасних ростових і післяростових технологій отримання об'ємних кристалів і шарів вузькощілинних твердих розчинів з шириною забороненої зони 0.1 еВ, зокрема твердих розчинів CdхHg1-хTe (КРТ) з х ” 0.2, які стали базовим матеріалом ІЧ-фотоелектроніки для цього діапазону спектру [2].
Як свідчить аналіз літературних даних, не дивлячись на застосовувані технологічні заходи, кристали і шари КРТ залишаються неоднорідними [3], що може значною мірою визначати їх функціональні параметри [4]. З часом ці параметри (зокрема, фоточутливість, виявна здатність тощо) погіршуються.
Це зумовлює актуальність досліджень процесів утворення об'ємних неоднорідностей, а також їх впливу на рекомбінаційні процеси у вузькощілинних кристалах КРТ.
Важливість таких досліджень з наукової точки зору зумовлена виясненням основних процесів і механізмів взаємодії систем точкових і протяжних дефектів, що призводять до утворення неоднорідностей, а також встановленням зумовлених ними домінуючих нерівноважних електронних процесів в вузькощілинних твердих розчинах, що є фундаментальними проблемами фізики твердого тіла. З практичної точки зору їх важливість зумовлена перспективами створення на основі КРТ елементної бази з прогнозованою надійністю і високими функціональними параметрами, нових методів і засобів аналізу і неруйнівного контролю однорідності матеріалів і приладових структур ІЧ-фотоелектроніки.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: УТВОРЕННЯ І РЕКОМБІНАЦІЙНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ n-CdHgTe

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок