Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ЕЛЕКТРОНАМИ НА СТРУКТУРНО-ФАЗОВИЙ СТАН АЛЮМОСИЛІКАТІВ І АРСЕНІДУ ГАЛІЮ

ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ЕЛЕКТРОНАМИ НА СТРУКТУРНО-ФАЗОВИЙ СТАН АЛЮМОСИЛІКАТІВ І АРСЕНІДУ ГАЛІЮ

Назва:
ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ЕЛЕКТРОНАМИ НА СТРУКТУРНО-ФАЗОВИЙ СТАН АЛЮМОСИЛІКАТІВ І АРСЕНІДУ ГАЛІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,22 KB
Завантажень:
269
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ЕЛЕКТРОФІЗИКИ І РАДІАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ
БЕРЕЗНЯК ОЛЕНА ПЕТРІВНА
УДК 539.2:544.015.4+621.039
ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ЕЛЕКТРОНАМИ НА
СТРУКТУРНО-ФАЗОВИЙ СТАН АЛЮМОСИЛІКАТІВ І АРСЕНІДУ ГАЛІЮ
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків – 2008


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Національному науковому центрі «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, м. Харків
Науковий
керівник: | академік НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор
Неклюдов Іван Матвійович,
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, генеральний директор.
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Ганн Володимир Васильович,
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, старший науковий співробітник Науково-технічного комплексу «Ядерний паливний цикл»;
кандидат фізико-математичних наук, доцент
Грицина Василь Тимофійович,
Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна МОН України, доцент кафедри загальної та прикладної фізики
Захист відбудеться «19» травня 8 р. о 14 00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .245.01 у Інституті електрофізики і радіаційних технологій НАН України за адресою: 61003, м. Харків, вул. Гамарника, 2, корпус У-3, НТУ «ХПІ», ауд. .
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту електрофізики і радіаційних технологій НАН України за адресою: 61024, м. Харків, вул. Гуданова, . Відгук на автореферат дисертації надсилати на адресу: 61002, м. Харків, вул. Чернишевська, 28, а/с 8812.
Автореферат розісланий «4» квітня 8 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д .245.01 |
Пойда А.В.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Під впливом опромінення відбувається зміна структури і, як наслідок, властивостей твердих тіл. Однією з найважливіших задач фізики твердого тіла є вивчення особливостей структурного стану матеріалів і прогнозування зміни їх властивостей під впливом іонізуючого випромінювання.
Найбільш вивчено вплив опромінення на структуру і властивості металевих сплавів, що використовуються як конструкційні матеріали корпусу та активної зони ядерних реакторів. В той же час існує великий клас неметалічних неорганічних матеріалів, які застосовують у якості ізоляційних та конструкційних елементів у ядерній енергетиці та у космічних апаратах, як датчики випромінювання, а також як компоненти матричних композицій для іммобілізації радіоактивних відходів (РАВ). До таких матеріалів відносяться природні силікати шаруватої (пірофіліт) та каркасної (польові шпати) будови, а також напівпровідникові сполуки, зокрема, арсенід галію. У ряді наявних та передбачуваних застосувань ці матеріали повинні функціонувати в полях іонізуючих випромінювань, які можуть істотно вплинути на їх структуру та експлуатаційні характеристики. Тому актуальним є дослідження радіаційно-індукованих процесів у матеріалах цього класу, що мають різні кристалохімічні особливості.
Аналіз літературних джерел свідчить про те, що наявні дані про дію радіації на структуру і фазовий склад а також фізико-механічні та хімічні властивості цих речовин стосуються, головним чином, нейтронного опромінення. Відомості ж про вплив високоенергетичних електронів на зміну структурно-фазового стану і властивостей цих матеріалів практично відсутні, особливо для силікатних мінералів. У той же час, зазначений вид опромінення дає можливість вводити в речовину найпростіші дефекти в контрольованих умовах і, в результаті, одержувати нову інформацію про процеси та механізми структуроутворення у твердих тілах при радіаційному впливі. Широкі можливості для одержання такої інформації дають спектрально-оптичні методи дослідження матеріалів в інфрачервоній (ІЧ) та видимій областях спектру.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ЕЛЕКТРОНАМИ НА СТРУКТУРНО-ФАЗОВИЙ СТАН АЛЮМОСИЛІКАТІВ І АРСЕНІДУ ГАЛІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок