Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ПРОЦЕСІВ РОСТУ З ПАРОВОЇ ФАЗИ МОНОКРИСТАЛІВ І ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ АIIВVI ТА СТРУКТУРИ НА ЇХ ОСНОВІ

ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ПРОЦЕСІВ РОСТУ З ПАРОВОЇ ФАЗИ МОНОКРИСТАЛІВ І ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ АIIВVI ТА СТРУКТУРИ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ПРОЦЕСІВ РОСТУ З ПАРОВОЇ ФАЗИ МОНОКРИСТАЛІВ І ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ АIIВVI ТА СТРУКТУРИ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
38,35 KB
Завантажень:
449
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 
Національний університет “Львівська політехніка”
Ільчук Григорій Архипович
УДК 537.311.33 : 621.382
ФІЗИЧНІ ОСНОВИ
ПРОЦЕСІВ РОСТУ З ПАРОВОЇ ФАЗИ
МОНОКРИСТАЛІВ І ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ АIIВVI
ТА СТРУКТУРИ НА ЇХ ОСНОВІ
01.04.01- фізика приладів, елементів і систем
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Львів – 2 0 0 2


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики Національного університету
“Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України
Науковий консультант: лауреат Державної премії,
доктор фізико-математичних наук, професор
Іванов-Омський Володимир Іванович,
завідувач лабораторією “Фотоелектричні явища в напівпровідниках”
Фізико-технічного інституту ім. А.Ф.Йоффе РАН (С.-Петербург, Росія)
Офіційні опоненти |
доктор фізико-математичних наук, професор
Пекар Григорій Соломонович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України.
провідний науковий співробітник;
доктор фізико-математичних наук, професор
Рогачова Олена Іванівна,
Національний технічний університет
“Харківський політехнічний інститут”
професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики;
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Савчук Андрій Йосипович,
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
професор кафедри фізичної електроніки і нетрадиційної енергетики.
Провідна установа Львівський національний університет імені Івана Франка |
Міністерства освіти і науки України,
кафедра фізики напівпровідників і кафедра електроніки.
Захист відбудеться “28” лютого 2003 року о 14 30 на засіданні спеці-алізованої вченої ради Д 35.052.12 при Національному університеті “Львівська політехніка” за адресою 79013, Львів, вул. С.Бандери 12, ауд.124 головного корпусу
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Національного університету “Львівська політехніка” ( вул. Професорська, 1)
Автореферат розісланий “27” січня 2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Заячук Д.М.


загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Напівпровідникові сполуки групи АIIВVI, зокрема те-лу-риди ртуті, кадмію, цинку, селенід цинку та їх тверді розчини, є пер-спек-тивними матеріалами для оптоелектроніки завдяки можливості електронних приладів, виготовлених на їх основі, реєструвати випромінювання практично в усьому оптичному діа-пазоні електромагнітного спектру, а також ряду інших уні-кальних властивостей, притаманних цим матеріалам.
Сьогодні зберігається висока зацікавленість до різноаспектних прилад-них структур на їх основі та гостро стоїть матеріалознавча проблема – вирощу-вання високоякісних монокристалів і епітаксійних шарів АIIВVI, властивості яких можна надійно контролювати і відтворювати, оскільки керувати пара-мет-рами можна лише в приладах, виготовлених на високоякiсних матерiалах.
Поєднання досліджень теоретичних моделей цих процесів та проведення на основі теоретичних передбачень технологічних експериментів – один з ефек-тив-них шляхів створення відтворювальної технології, зокрема з використанням методу хімічних транспортних реакцій (ХТР), який на даний час є одним з пер-спективних методів вирощування з парової фази (ПФ). До основ-них переваг цього методу слід віднести можливість вирощування моно-кристалів і шарів при температурах, які суттєво нижчі від температур плав-лення сполук, в умовах наближених до термодинамічної рівноваги, що дозволяє суттєво покращити структурні і інші фізичні параметри вирощених матеріалів, про-во-дити легу-вання в процесі вирощування, досягти високого ступеня його одно-рідності, мак--си-мально зменшити внутрішні механічні напруги у моно-кристалі і епі-так-сійному шарі, сформувати різкі переходи із стрибкоподібною зміною концент-рації носіїв. Іншою важливою особливістю методу ХТР є можливість його вико--ристання для створення в єдиному ростовому процесі приладних структур. Тому здобутки у покращенні параметрів вирощуваних монокристалів бу-дуть одночасно супроводжуватись покращенням якості приладів, виготовлених на їх основі.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ПРОЦЕСІВ РОСТУ З ПАРОВОЇ ФАЗИ МОНОКРИСТАЛІВ І ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ АIIВVI ТА СТРУКТУРИ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок