Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА В ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТА БЕЗЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУКАХ ЗА УМОВ РЕГУЛЮВАННЯ ПАРАМЕТРАМИ ЕНЕРГЕТИЧНОЇ СТРУКТУРИ

ЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА В ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТА БЕЗЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУКАХ ЗА УМОВ РЕГУЛЮВАННЯ ПАРАМЕТРАМИ ЕНЕРГЕТИЧНОЇ СТРУКТУРИ

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА В ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТА БЕЗЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУКАХ ЗА УМОВ РЕГУЛЮВАННЯ ПАРАМЕТРАМИ ЕНЕРГЕТИЧНОЇ СТРУКТУРИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
43,82 KB
Завантажень:
442
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім.В.Е.ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
ГАСАН-ЗАДЕ Салім Гюльрзаєвич
УДК 621.315.592
ЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА В ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТА БЕЗЩІЛИННИХ
НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУКАХ ЗА УМОВ РЕГУЛЮВАННЯ
ПАРАМЕТРАМИ ЕНЕРГЕТИЧНОЇ СТРУКТУРИ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ -2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Наукові консультанти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Шепельський Георгій Анатолійович,
Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник відділу напівпровідникової
інфрачервоної фотоелектроніки
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кор. НАН України
Венгер Євген Федорович,
Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України,
завідувач відділу напівпровідникових гетероструктур
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Берченко Микола Миколайович,
Національний технічний університет “Львівська політехніка”, професор
доктор фізико-математичних наук, професор
Єлізаров Олександр Іванович,
Кременчуцький державний політехнічний університет, завідувач
кафедри
доктор фізико-математичних наук,
Кладько Василь Петрович,
Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України,
завідувач відділу
Провідна установа: Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
кафедра напівпровідникової електроніки
Захист відбудеться 23 квітня 2004 р. о 14 год. 15 хв.
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.02 при
Інституті фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
за адресою: проспект Науки 45, м.Київ, 03028.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників
ім.В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки 45, м.Київ, 03028.
Автореферат розісланий 12.03.2004 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Вузькощілинні напівпровідники (ВН) на протязі останніх десятиріч є основними матеріалами для створення елементної бази інфрачервоної (ІЧ) опто- і фотоелектроніки в діапазонах спектру 1-1.8, 2-2.4, 3-5 і 8-14 мкм, що відповідають вікнам прозорості атмосфери. Область застосування ІЧ-приймачів з ВН щороку поширюється і вже на сьогодні вони плідно використовуються в медицині, біології, сільському господарстві, метеорології, пошуку корисних копалин, екологічному моніторінгу довкілля, системах дальнього оптичного зв'язку, і звісно ж в аерокосмічній та війсковій техніці. Найпоширенішим, завдяки унікальним властивостям, ВН залишається на сьогодні сполука CdxHg1-xTe (КРТ), на базі якої створено не лише найчутливіші безальтернативні фотоприймачі в діапазоні 8-14 мкм, але й багатокольорні (багатоканальні) фотоструктури (з шарами різного складу х), що дозволяють з високою чутливістю реєструвати одночасно випромінювання в декількох ділянках спектру від 1 до 14 мкм.
Природніми були безперервні багаторічні намагання, попри значні складнощі і величезні фінансові витрати, пошуку нових і вдосконалення технології отримання відомих ВН. Так, першим напівпровідником, який було вирощено в космосі на борту орбітальної станції “Салют-6”, є ВН КРТ (Кристаллы из невесомости.- ”Правда”.-1979.-22 июня). Вважається, що параметри сучасних досконалих кристалів ВН, найсуттєвішими серед яких з практичного боку безумовно є рекомбінаційні, впритул наближуються до теоретичної межі і визначаються вже власним зонним спектром, який неможливо змінити засобами технологіїї вирощування. Однак, не зважаючи на вражаючі за об'ємом результати інтенсивних всебічних досліджень ВН, залишалася остаточно не з'ясованою фізична природа низки особливостей у властивостях важливих параметрів, особливо в актуальних нині кристалах р_типу, при низьких температурах, де пристрої на базі ВН функціонують найефективніше.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА В ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТА БЕЗЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУКАХ ЗА УМОВ РЕГУЛЮВАННЯ ПАРАМЕТРАМИ ЕНЕРГЕТИЧНОЇ СТРУКТУРИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок