Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Повздовжні флуктуаціЇ струму в анізотропних напівпровідниках з непружним розсіюванням носіїв

Повздовжні флуктуаціЇ струму в анізотропних напівпровідниках з непружним розсіюванням носіїв

Назва:
Повздовжні флуктуаціЇ струму в анізотропних напівпровідниках з непружним розсіюванням носіїв
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,51 KB
Завантажень:
317
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
ГРИГОРИШИН
Олександр Миколайович
УДК 53.621.37: 621.38
Повздовжні флуктуаціЇ струму
в анізотропних напівпровідниках
з непружним розсіюванням носіїв
(01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці - 2003
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки та нетрадиційної енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор Горлей Петро Миколайович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри фізичної електроніки і нетрадиційної енергетики
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор Чумак Олександр Олександрович, Інститут фізики НАН України, м. Київ, провідний науковий співробітник відділу теоретичної фізики
доктор фізико-математичних наук, професор Ковалюк Захар Дмитрович, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України, завідувач відділенням
Провідна організація: | Львівський національний університет імені Івана Франка (м. Львів)
Захист відбудеться 28.11. 2003 р. о 14 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 27.10. 2003 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.
1
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Останнім часом флуктуаційні та хаотичні процеси у твердотільних електронних приладах набули досить широкого застосування в різних галузях науки і техніки. Вони, зокрема, інтенсивно використовуються для передачі та прийому інформації, її обробки і запам’ятовування [1], для реєстрації, перетворення і генерації сигналів надвисоких частот [2], вимірювання надслабких електричних і магнітних полів, а також у найрізноманітніших фізичних експериментах [3]. Зазначимо, що незважаючи на велику гаму приладів різного призначення та сфер їх застосування, в усіх у них, у тій чи іншій мірі, відбуваються шумові процеси. Крім того, всі електронні пристрої працюють у різних умовах, наприклад, знаходяться під дією сильних електричного і магнітного полів, лазерного випромінювання, механічних напруг, при низьких або досить високих температурах. Їх робочими елементами можуть бути кристали з найрізноманітнішими властивостями, які залежать як від хімічного складу речовини, так і від методу їх виготовлення, і навіть від геометричних розмірів. Розуміння фізики флуктуаційних явищ у кожному конкретному випадку дає змогу передбачити поведінку шумів у різних умовах, підвищити ефективність заходів, спрямованих на забезпечення високої чутливості таких приладів і покращання їх шумових характеристик. Це, зокрема, дозволяє виявити можливості зменшення величини шуму в тому чи іншому частотному інтервалі або знайти шляхи для корисного використання флуктуаційних процесів.
Відзначимо, що для шумових досліджень поряд з проведенням експериментальних вимірювань надзвичайно важливим є теоретичний аналіз, оскільки він дає змогу не тільки виявити, але й зрозуміти походження різноманітних особливостей шумових характеристик. Останнє ставить у розряд актуальних розвиток теорії нерівноважних флуктуацій, передусім у напівпровідниках, до яких прикладені гріюче носії електричне і довільне за величиною неквантуюче магнітне поля.
На сьогодні теорія флуктуаційних явищ при наявності таких полів розвинута для напівпровідників як зі стандартним параболічним так і кейнівським ізотропними законами дисперсії енергії носіїв і базується на класичному рівнянні Больцмана [4,5]. При цьому в більшості випадків при розв’язуванні флуктуаційних рівнянь автори припускали цілий ряд допущень.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Повздовжні флуктуаціЇ струму в анізотропних напівпровідниках з непружним розсіюванням носіїв

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок