Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК GaN, ОТРИМАНИХ НА ПОРУВАТОМУ GaAs МЕТОМ НІТРИДИЗАЦІЇЇ

ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК GaN, ОТРИМАНИХ НА ПОРУВАТОМУ GaAs МЕТОМ НІТРИДИЗАЦІЇЇ

Назва:
ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК GaN, ОТРИМАНИХ НА ПОРУВАТОМУ GaAs МЕТОМ НІТРИДИЗАЦІЇЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,91 KB
Завантажень:
324
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Міністерство освіти і науки
Бердянський державний педагогічний університет
Ревенко Андрій Сергійович
УДК 535.37: 621.315.592
ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК GaN, ОТРИМАНИХ
НА ПОРУВАТОМУ GaAs МЕТОМ НІТРИДИЗАЦІЇЇ
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертаційної роботи на здобуття вченого ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Бердянськ-2007
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики Бердянського державного педагогічного університету.
Науковий керівник: доктор фіз.-мат. наук, професор
КІДАЛОВ Валерій Віталійович
Завідувач кафедри фізики бердянського державного педагогічного університету
Офіційні опоненти:
доктор фіз.-мат. наук, провідний науковий співробітник відділу оптичних і опто-електронних реєструючих середовищ
СТРОНСЬКИЙ Олександр Володимирович.
Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ.
кандидат фіз.-мат. наук, доцент кафедри напівпровідникової електроніки
ІЛЬЧЕНКО Володимир Васильович
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка
Захист відбудеться „_24” _09_2007 р. о __15.00_ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.31 із захисту дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фіз.-мат. наук при Київському національному університеті ім. Тараса Шевченка (03022, м. Київ, пр. Глушкова, 2, корп. 5, Радіофізичний факультет; тел. 526-05-32.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського національного університету імені Тараса Шевченка (01033, м. Київ, вул. Володимирська, 58).
Автореферат розісланий „23” ___08__ 2007р.
Учений секретар
спеціалізованої вченої ради О.І. Кельнік
Вступ.
Актуальність теми.
Завдяки унікальним фізичним властивостям (прямозонність, велика ширина забороненої зони, наявність спонтанної поляризації та сильного п’єзоефекту, високої теплопровідності, можливості отримувати як p- так і n-тип) нітриди III групи (AlN, GaN, InN) знаходять все більш широке застосування у сучасній твердотільнїй електроніці та оптоелектроніці.
Особлива увага серед нітридів третьої групи приділяється GaN, що зумовлено широкою забороненою зоною (Eg=3.4 eВ за температурі 300 K), надзвичайною фото- та електролюмінесційною ефективністю, високою термічною стабільністю, низькою рухливістю кристалічних дефектів. На основі широкозонного GaN виробляються світлодіоди, датчики ультрафіолетового випромінювання.
Останнім часом у галузі вирощування епітаксійного GaN значна увага приділяється підкладкам GaAs завдяки таким якостям, як низький опір омічних контактів, практично співпадаючі за орієнтацією площини розколу для GaN та GaAs. Іншою привабливістю GaAs є можливість отримувати тонкі поверхневі шари GaN за рахунок нітридизації (обробка у плазмі атомарного азоту), що зумовлює можливість вирощування кубічної модифікації GaN внаслідок зберігання кубічної структури підкладки при конвертації поверхневих шарів підкладок GaAs у GaN. Крім того, нітридизація підкладок GaAs є перспективним засобом отримання напівпровідникових потрійних сполук GaNxAs1-x із заданою величиною параметру x, що дозволить керувати випромінюванням у широкому діапазоні – від інфрачервоної до ультрафіолетової області.
Однак, структури GaN/GaAs звичайно характеризуються значними механічними напруженнями, які зумовлено невідповідностями у параметрах ґраток та коефіцієнтах теплового розширення, що, в свою чергу негативно впливає на фізичні параметри таких структур. Використання поруватих підкладок GaAs є перспективним засобом мінімізації механічних напружень у нових типах гетеропереходів GaN/por-GaAs/GaAs.
Таким чином, є актуальним дослідження нових типів напівпровідникових гетеропереходів GaN/por-GaAs та GaNAs/por-GaAs, що дозволить керувати їх структурними, морфологічними та люмінесцентними властивостями.
Зв’язок роботи з науковими програмами. Дисертаційна робота виконувалась відповідно до планів науково-дослідних робіт кафедри фізики Бердянського державного педагогічного університету за темами, які фінансувались Міністерством освіти і науки України:
1. “Технологічні аспекти радикало-променевої епітаксії гетероструктур на основі сполук А3В5 ” (номер державної реєстрації: 0304U0001667).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК GaN, ОТРИМАНИХ НА ПОРУВАТОМУ GaAs МЕТОМ НІТРИДИЗАЦІЇЇ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок