Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ТЕХНОЛОГІЧНО УСПАДКОВАНІ СТАНИ КРИСТАЛІВ AIIBVI

ТЕХНОЛОГІЧНО УСПАДКОВАНІ СТАНИ КРИСТАЛІВ AIIBVI

Назва:
ТЕХНОЛОГІЧНО УСПАДКОВАНІ СТАНИ КРИСТАЛІВ AIIBVI
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
34,33 KB
Завантажень:
352
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 
Національна академія наук України
ауково-технологічний концерн “Інститут монокристалів”
нститут монокристалів
Мигаль Валерій Павлович
УДК 548.522:[546.47'23+546.48'47'24]:539.219.1
ТЕХНОЛОГІЧНО УСПАДКОВАНІ СТАНИ КРИСТАЛІВ AIIBVI
05.02.01 – матеріалознавство
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
 
Харків - 2002
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського „ХАІ” .
Офіційні опоненти: доктор фізико - математичних наук, професор , член-кореспондент НАН України,
Неклюдов Іван Матвійович, директор Інституту фізики твердого тіла, матеріалознавства та технологій Національного наукового центру „Харківський фізико-технічний інститут”.
доктор технічних наук, професор Мокрицький Вадим Анатолійович, професор кафедри електронних засобів комп’ютерних технологій Одеського національного технічного університету.
доктор технічних наук, старший науковий співробітник, Балицький Олександр Іванович, провідний науковий співробітник відділу фізико-хімічних основ зміцнення матеріалів Фізико-механічного інституту ім. Г.В. Карпенка НАН України (м. Львів),.

Провідна установа: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України, відділ технології синтезу та спікання матеріалів при високих тисках (м. Київ)
Захист відбудеться “18” грудня 2002 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради
Д 64.169.01 при Інституті монокристалів Науково-технологічного концерну
“Інститут монокристалів” НАН України.
Адреса: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України.
Автореферат розісланий “15”листопада 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат технічних наук Л. В. Атрощенко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Вступ. При використанні кристалічних матеріалів (сполук AIIBVI і AIIIBV, алмазу та інших) в екстремальних умовах та, зокрема, при інтенсивних променевих навантаженнях виявлено ряд взаємопов’язаних проблем, що обумовлені феноменом технологічної спадковості. Він полягає в залежності фізичних властивостей від умов та процесів, що протікали в кристалічному злитку на всіх етапах, починаючи з кристалізації. Природа успадкованих фізичних властивостей тісно пов’язана з процесами формування структурних неоднорідностей в великогабаритних кристалічних злитках. З іншого боку, широке використання кристалів AIIBVI у силовій, електро- і акустооптиці, а також в лазерній техніці та детекторах радіоактивного випромінювання, що обумовлене унікальним поєднанням у них фізичних властивостей, виявило ряд проблем - променевої міцності та стійкості, стабільності та інших. Вони тісно пов’язані з вирощування великогабаритних кристалів сильно нерівноважни умова, які, в свою чергу, породжують структурні неоднорідності різного типу і, як наслідок, нові технологічні проблеми при обробці, виготовленні та експлуатації приладів та пристроїв на їх основі в жорстких умовах. Вплив полів структурних неоднорідностей на фізичні властивості кристалів з одного боку є особливо суттєвим, оскільки характер їх перебудови є основним чинником, що визначає стійкість цих матеріалів до інтенсивних навантажень та стабільність їхніх характеристик, а з іншого боку – неоднозначним, що створює взаємопов’язані проблеми при обробці кристалів, а також при їх дослідженні.
Актуальність даного дослідження визначається очевидним зв’язком успадкованих фізичних властивостей зі стійкістю даних матеріалів до силових навантажень, надійністю і довговічністю відповідних пристроїв, а також з ефективністю їх післякристалізаційних обробок. З іншого боку, обмеженість та неоднозначність інформації про успадковані стани кристала, яка може бути отримана за допомогою відомих методів дослідження та моделювання, обумовило існування проблем, що пов’язані з виявленням і дослідженням структурних неоднорідностей та визначенням їх впливу на якість і технологічність кристалів AIIBVI.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 



Реферат на тему: ТЕХНОЛОГІЧНО УСПАДКОВАНІ СТАНИ КРИСТАЛІВ AIIBVI

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок