Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОТОЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА У СТРУКТУРАХ НАОСНОВІ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВЗА НАЯВНОСТІ МАКРОДЕФЕКТІВ ТА НЕОДНОРІДНОСТЕЙ

ФОТОЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА У СТРУКТУРАХ НАОСНОВІ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВЗА НАЯВНОСТІ МАКРОДЕФЕКТІВ ТА НЕОДНОРІДНОСТЕЙ

Назва:
ФОТОЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА У СТРУКТУРАХ НАОСНОВІ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВЗА НАЯВНОСТІ МАКРОДЕФЕКТІВ ТА НЕОДНОРІДНОСТЕЙ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
50,48 KB
Завантажень:
203
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27 
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
"ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА"
Вірт Ігор Степанович

УДК 621.315.592
ФОТОЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА У СТРУКТУРАХ НА
ОСНОВІ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ЗА НАЯВНОСТІ МАКРОДЕФЕКТІВ ТА НЕОДНОРІДНОСТЕЙ
01.04.01 - фізика приладів, елементів і систем.
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Дисертацією є рукопис
Робота виконана у Львівському національному університеті імені Івана Франка і Дрого-биць-ко-му державному педагогічному університеті імені Івана Франка Міністерства освіти і на-у-ки Ук-раїни
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор
Савицький Вадим Григорович , Львів-сь--кий на-ціональний уні--верситет імені Івана Франка.
Офіційні опоненти: член-кореспондент НАН України, доктор фізико-ма-те-ма-тич-них наук, професор
Сизов Федір Федорович, Інститут фізи-ки на-пів-про---відників НАН України, завідувач відділенням;
 
доктор фізико-математичних наук, професор, за-слу-жений діяч науки і техніки України
Раренко Іларій Михайлович, Чернівецький на-ціо---на-ль-ний уні-вер-ситет імені Юрія Федьковича, за-ві--ду-вач ка-фед-рою на-пів-про-від-никової мікроелек-т-ро-ніки;
доктор фізико-математичних наук, професор
Пашковський Мар`ян Владиславович, Львів-сь-кий на-ці--о--наль-ний університет імені Івана Франка, про--фе-сор ка-федри фізики на-пів-провідників;
Провідна організація: Прикарпатський університет імені Василя Сте-фа-ника, кафедра фізики твердого тіла, Мі-ні-с-тер-с-т-во освіти і науки Укра-ї-ни, м. Івано-Фран-ківськ.
Захист відбудеться 21 вересня 2001 р. о 1400 на засіданні спеціалі-зо-ва-ної вче-ної ради Д.35.052.12 при Наці-ональному університеті "Львів-ська пол--і-тех-ні-ка" (79013, м. Львів-13, вул. Ст. Бан-де-ри 12)
З дисертацією можна ознайомитись в науковій бібліотеці Наці-она-ль-но-го університету "Львів-ська політехніка" (Львів, вул. Про-фе-сорська, 1)
Автореферат розісланий 15 серпня 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Заячук Д.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Покращення елементної бази приймачів інфрачервоного (ІЧ) випромінювання є основою підвищення технічного рівня систем теплоба-чен-ня, створення ІЧ-систем нового покоління. Найширше засто-су-вання для виро-б--ни-ц-т-ва фотоприй-ма-чів ІЧ-випромінювання знайшли вузькощілинні напів-про-від-ни--ки з ене-р--гетичною щіли-ною Eg 0,3 еВ і структури на їх основі, які становлять ос-но--ву еле----ментної ба---зи сучасної фото- і оп-тоелектроніки.
Вузькощілинні напівпровідники володіють низкою уні-каль-них властивостей, які відкривають бага-ті перс-пективи їх прак-тич--но-го використання. Весь спектр мо-ж----ливих застосувань цих мате-ріалів базується на над-зви-чай-но високій їх чут-ли-вості до зовнішніх дій: електромаг-нітного випро-мінювання, маг-ніт--ного по-ля, тис-ку і т.п. На цей час переконливо пока-за-но, що сис-те-ма твер-дих розчинів Hg1-хCdхTe є най-при--дат----нішим матеріалом для створення висо-кое-фек-тив-них фото-ре-зисторних і фо-то--ді-од-них прий--ма--чів. Цьо-му сприяють унікальні фізичні влас-ти-вості: мож-ли-вість плавної зміни Eg, ви--со-ке значення рух--ливості електронів, низька діе-лек-т-рична про-ник-ність, а також мож-ли-вість пра-цю--вати в об-ласті власної про-відності, що не пот-ре--бує гли-бокого охолодження (Т > 77 К). В од-но - і малоелемен-тних фо-то-прий-ма-чах прак--тич-но досягнута тео-ре-тич-на межа ви-яв-ляючої здат---ності. Фотоприймачі на осно-ві Hg1-хCdхTe зна-ходять широке зас-тосування у вій-сь-ковій і кос--міч-ній тех-ніці (при-лади теп-лонаведення, прис-трої слід-ку-ван-ня, наведення на ціль і ІЧ-ло-ка-ції), а та--кож у медицині.
Система твердих розчинів Hg1-хCdхTe перспективна також для створення ба-га-то--ко-лір-них при-й---ма-чів випромінювання, які в сукупності з розробленими бага-то-ка-наль-ни-ми ІЧ-сис-те-ма-ми доз--воляють аналізувати випромінювання від предметів, або ділянок міс-це-вос-ті зра-зу в де----кіль-кох спек-тральних діапазонах. За однакових ро--бо-чих тем-ператур і те--оретичної межі виявляючої здатності тех-но-ло--гіч-но зруч-ні-ши--ми для цих ці-лей є фотодіодні прий-мачі на основі n–p-переходів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27 



Реферат на тему: ФОТОЕЛЕКТРОННІ ЯВИЩА У СТРУКТУРАХ НАОСНОВІ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВЗА НАЯВНОСТІ МАКРОДЕФЕКТІВ ТА НЕОДНОРІДНОСТЕЙ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок