Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат українською: ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ

ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ / сторінка 5

Назва:
ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,99 KB
Завантажень:
306
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0

Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Відпал при температурі 10000С як нелегованих зразків, так і після проведення операції дифузії електрично-активних домішок суттєво не змінює електрофізичні і генераційно-рекомбінаційні параметри структур Si-SiO2. В той же час, іонна імплантація домішок в поєднанні з цим відпалом істотно впливає на зазначені параметри. Зокрема, об’ємний генераційний час життя зменшувався на 2-3 порядки, що обумовлено введенням в приповерхневу область кремнію великої кількості структурних дефектів при імплантації.
Одним з ефективних шляхів зменшення оптичних втрат в ФС, як відомо, є нанесення на їх робочу поверхню покриттів, що зменшують коефіцієнт відбивання світла. В роботі проаналізовані особливості просвітлення ФС, в яких поверхня кремнію запасивована зарядженою плівкою SiO2 з низьким значенням показника заломлення. Встановлено, що коли товщина плівки SiO2 не перевищує 30 нм, ефективне просвітлення досягається нанесенням на її поверхню оптичних матеріалів певної товщини з показником заломлення n2. Зручними для просвітлення ФС виявились плівки нітриду кремнію внаслідок їх технологічності і відносно великих значень показника заломлення. Розрахунки спектральних залежностей коефіцієнту відбивання світла від структури Si-SiO2 з товщиною шару SiO2 30 нм, просвітленої плівками Si3N4 різних товщин, показали, що при належному виборі товщини Si3N4 коефіцієнт відбивання зменшується в мінімумі до 13%.
Перспективними просвітлюючими шарами виявилися також АПП. Це обумовлено можливістю змінювати в широких межах оптичні характеристики цих плівок при забезпеченні якісних захисних властивостей, обумовлених їх високою механічною стійкістю і хімічною інертністю. Зокрема, в роботі експериментально показано, що в залежності від умов осадження показник заломлення АПП може змінюватися в межах n=1,652,7, причому значення показника заломлення в дослідженому інтервалі енергій фотонів 1,54 еВ можуть залишатись близькими до оптимальних (n=1,952,1).
Вперше теоретично проаналізована ефективність застосування АПП в складі як одношарового, так і двошарового антивідбиваючих покриттів для просвітлення структури Si-SiO2 в діапазоні довжин хвиль 0,41,2 мкм. Результати розрахунків спектральних залежностей коефіцієнту пропускання світла системи АПП-SiO2-Si, проведені з врахуванням експериментально отриманих спектральних залежностей показника заломлення i коефіцієнту поглинання світла АПП, показали, що одношарова АПП зі значенням показника заломлення n=2,2 і товщиною 37 нм може бути ефективним просвітлюючим покриттям для системи Si-SiO2. Ще більш ефективне просвітлення забезпечується шляхом нанесення двошарових оптичних покриттів, в яких показники заломлення шарів зменшуються в напрямку від поверхні кремнію. Визначена ефективність просвітлення зазначених ФКС різними комбінаціями двошарових просвітлюючих плівок (MgF2+АПП з nMgF2 =1,38 і nАПП =2,2; АПП1+АПП2 з nАПП1 =1,65 і nАПП2 =2,2 і 2,6), що дозволило запропонувати конструктивне виконання ФКС з мінімізованими оптичними втратами.
На основі результатів проведеного аналізу вибраний оптимальний технологічний режим і проведене нанесення одношарової АПП на кремнійові СЕ з n- і р-базою, які мали на поверхні шар SiO2 товщиною 2530 нм. Типові експериментальні спектри відбивання до та після нанесення на ці СЕ одношарової АПП з розрахованими оптичними параметрами показали, що коефіцієнт відбивання світла не перевищував 15% в спектральному інтервалі 0,430,85 мкм, який включав в себе як область максимальної інтенсивності сонячного випромінювання, так і область максимальної чутливості ФКС. При цьому коефіцієнт відбивання в мінімумі складав 12%. Експериментально встановлено, що нанесення АПП привело до збільшення струму КЗ досліджених СЕ на 2030%.
З метою встановлення механізмів протікання генераційно-рекомбінаційних процесів у ФКС було проведене теоретичне моделювання і експериментальне дослідження кінетики затухання малосигнальної фотоерс після виключення освітлення. Був запропонований простий для практичної реалізації метод забезпечення малосигнальності фотоерс, який полягає в одночасному опроміненні поверхні структури світлом постійної інтенсивності, яке зменшує висоту потенціального бар’єру в приповерхневому p-n-переході, і світловим тестуючим імпульсом значно меншої інтенсивності, який формує сигнал фотоерс.

Завантажити цю роботу безкоштовно

Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Реферат на тему: ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ

BR.com.ua © 1999-2019 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок