Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати безкоштовно: ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ

ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ / сторінка 7

Назва:
ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,99 KB
Завантажень:
306
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0

Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 

Спектральні залежності конденсаторної фотоерс, виміряні в умовах постійного потоку падаючих квантів світла показали, що в області довжин хвиль, більших 1000 нм, на цих залежностях у випадку ТП існував характерний підйом, пов’язаний зі збільшенням поглинання довгохвильових фотонів внаслідок заломлення випромінювання гранями мікропірамід.
Для встановлення механізмів впливу домішково-структурних чинників на електрофізичні параметри межі поділу Si-SiO2 були проведені дослідження мікроструктурних характеристик текстурованих і нетекстурованих ділянок поверхні термічно окисленого кремнію методом МСВІ. При цьому розпилення мішені здійснювалось первинними іонами Ar+ з енергією Е=2 кеВ і густиною струму в пучку J=20 мкА/см2. Вимірювались товщинні профілі виходу елементарних матричних (Si+) та домішкових іонів (Na+, K+), а також вторинних кластерних іонів (ВКІ) - Si2+, SiO+, SiO2+, Si2O+, SiH+, SiOH+. У випадку зразків з ПП відтворювались всі характерні особливості товщинного розподілу вторинних іонів для системи Si-SiO2. Сталість виходу Si+, SiO+ і інших кремній-кисневих ВКІ, чітка сходинка у виході Si+, відсутність різких викидів біля межі поділу Si-SiO2 свідчили про однорідність шару SiO2 та про досить гарну якість межі поділу. Лужні іони Na+ і K+ давали невеликі піки біля межі поділу, а концентрація ВКІ Si2+ монотонно збільшувалась при переході від матриці SiO2 до матриці Si. Для зразків з ТП зафіксована відсутність характерного для сильно розупорядкованої межі поділу ДН піку виходу іонів Si+, що свідчить про її непогану якість. В той же час сходинковий характер профілю вказує на неоднорідність структури плівки SiO2 по товщині, коли спочатку розпилюється її структурно більш щільна модифікація, а потім - більш дефектна. При цьому менша інтенсивність струму кластерів SiO+ у поєднанні зі збільшеним виходом ВКІ Si2+ свідчили про більш недоокислену структуру плівки SiO2 на ТП.
З аналізу змін потенціалу зовнішньої поверхні шару SiO2 V в процесі іонного травлення були зроблені висновки про його діелектричні властивості. На ПП потенціал лінійно зменшувався із зменшенням товщини окису d, що свідчило про однорідність його питомого опору як по товщині, так і по площі. На ТП характер залежностей V(d) був більш складним: спочатку травлення окису приводило до підвищення потенціалу зовнішньої поверхні його залишкової частини, потім досягалось насичення, і лише після цього потенціал починав монотонно зменшуватися, що підтверджує товщинну неоднорідність характеристик плівки окису на ТП.
Проведені дослідження мікроструктурних характеристик показали, що на відміну від системи Si-SiO2 з ПП система Si-SiO2 з ТП має більш розупорядковану структуру перехідного шару Si-SiO2, більш недоокислену і більш неоднорідну по товщині структуру плівки SiO2, особливо поблизу межі поділу ДН та підвищений вміст домішок натрію і калію у плівці SiO2.
У розділі 3 викладена розроблена вперше теоретична модель, що дозволяє коректно описати вплив на процеси ФПЕ просторово неоднорідної рекомбінації, яка виникає в результаті опромінення ФС важкими частинками (наприклад, протонами) з довжиною пробігу меншою товщини цієї ФС і результати експериментального дослідження деградаційних процесів в СЕ під дією протонного та електронного опромінення. Також проведено теоретичне дослідження енергетичних залежностей відносних протонних коефіцієнтів пошкодження (ВПКП) по струму КЗ і напрузі розімкненого кола (РК) ФКС.
При створенні теоретичної моделі просторово неоднорідну рекомбінацію було розглянуто в тришаровій моделі, cутніть якої полягає в тому, що в ФС після опромінення існують радіаційно пошкоджена фронтальна приповерхнева область а з підвищеною концентрацією дефектів, тонка область наприкінці області а з істотно більш високою концентрацією дефектів, локалізована в кінці шляху пробігу протонів, а також радіаційно непошкоджена область бази з початковою концентрацією дефектів. В рамках цієї моделі вирішувалось дифузійне рівняння струмопереносу з відповідними граничними умовами, що дозволило розрахувати залежності нормованих величин струму КЗ і напруги РК від довжини дифузії носіїв заряду в радіаційно пошкодженій частині бази при різних довжинах пробігу протонів a.

Завантажити цю роботу безкоштовно

Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Реферат на тему: ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ

BR.com.ua © 1999-2019 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок