Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ

ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ

Назва:
ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,99 KB
Завантажень:
306
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ім. ТАРАСА ШЕВЧЕНКА
ЧЕРНЕНКО ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 621.315.592
ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ
В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2005
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників
ім.В.Є. Лашкарьова НАН України
Науковий керівник кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Костильов Віталій Петрович
Інститут фізики напівпровідників
ім.В.Є. Лашкарьова НАН України,
старший науковий співробітник
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор Комащенко
Валерій Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є. Лашкарьова НАН України,
завідувач відділом;
кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Литвиненко Сергій Васильович, Київський національний
університет ім.Тараса Шевченка, старший науковий співробітник.
Провідна установа
Інститут фізики НАН України, відділ молекулярної фотоелектроніки,
Національна Академія наук України, м. Київ
Захист відбудеться 4 липня 2005 р. о 15 годині на засіданні
Спеціалізованої вченої ради Д26.001.31 у Київському національному
університеті ім.Тараса Шевченка за адресою: 03127, м.Київ, проспект
Академіка Глушкова, 2, корпус 5, радіофізичний факультет, ауд. 42.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського
національного університету ім.Тараса Шевченка,
01033, м.Київ, вул.Володимирська, 64.
Автореферат розісланий 2 червня 2005 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради Кельник О.І.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Інтенсивний розвиток традиційної енергетики створив цілий ряд складних екологічних, технічних та соціальних проблем, які потребують невідкладного вирішення вже зараз. Тому останнім часом спостерігається значне посилення інтересу до проблем прямого перетворення енергії Сонця в електричну енергію за допомогою екологічно чистих електростанцій, які створюються на основі напівпровідникових фотоперетворювачів (ФП).
Відомо, що індуковані р-n-переходи у кремнійових структурах (КС) є ефективними колекторами генерованих світлом неосновних носіїв заряду, що було використано при розробці різних фотоелектричних приладів. Так, наявність сильного електричного поля (105106 В/см) в інверсійному каналі фоточутливої структури (ФС) та мала його товщина (0,1 мкм) приводять до того, що практично всі електронно-діркові пари, які генеруються в приповерхневій області кремнію електромагнітним світловим випромінюванням, розводяться полем без рекомбінації і дають внесок у фотострум. При цьому навіть відносно велика концентрація поверхневих електронних станів (ПЕС) на межі поділу діелектрик-напівпровідник (ДН) практично не впливає на швидкість поверхневої рекомбінації на освітленій поверхні ФС і на величину фотоструму. До того ж, короткохвильова фоточутливість в інверсійних ФС виявляється на один-два порядки вищою, ніж у дифузійних ФС. Проте практична реалізація переваг інверсійних фоточутливих кремнійових структур (ФКС) можлива за умови реалізації мінімально можливого поверхневого опору інверсійного каналу та контактних електродів при одночасному забезпеченні малих поверхневих і об’ємних рекомбінаційних втрат. Нами було показано, що використання ФКС з комбінованими приповерхневими дифузійно-польовими бар’єрами (ДПБ) дозволяє поєднати переваги дифузійних і інверсійних ФС завдяки використанню комбінованого індуковано-дифузійного способу формування роздільних бар’єрів у багатофазних КС типу ДН чи метал-діелектрик-напівпровідник (МДН), які створюються як за допомогою дифузії мілких легуючих домішок, так і завдяки нанесенню на поверхню дифузійного шару зарядженої плівки SiO2. Відносно невисокий рівень легування емітерної області в ФКС з ДПБ дозволяє зменшити опір приповерхневого шару і забезпечує істотно нижчу інтенсивність генераційно-рекомбінаційних процесів в емітерній області у порівнянні з дифузійними ФКС, а існування приповерхневого польового бар’єру значно зменшує швидкість поверхневої рекомбінації на межі поділу ДН.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ І ЗБИРАННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЙОВИХ СТРУКТУРАХ З ДИФУЗІЙНО-ПОЛЬОВИМИ БАР’ЄРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок