Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МОДИФІКАЦІЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdxHg1-xTe ПРИ ІОННОМУ ТРАВЛЕННІ

МОДИФІКАЦІЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdxHg1-xTe ПРИ ІОННОМУ ТРАВЛЕННІ

Назва:
МОДИФІКАЦІЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdxHg1-xTe ПРИ ІОННОМУ ТРАВЛЕННІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
38,55 KB
Завантажень:
476
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26 
Львівський національний університет імені Івана Франка
ІЖНІН
Ігор Іванович
УДК 621.315.592
МОДИФІКАЦІЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ
РОЗЧИНІВ CdxHg1-xTe ПРИ ІОННОМУ ТРАВЛЕННІ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Львів – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана у Науково-виробничому підприємстві “Карат”, м. Львів
Науковий консультант: член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор Сизов Федір Федорович, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ), завідувач відділення фізико-технологічних проблем інфрачервоної техніки
 
Офіційні опоненти: член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор Литовченко Володимир Григорович, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ), завідувач відділу “Фізичні основи інтегральної електроніки”;
доктор фізико-математичних наук, професор Раренко Іларій Михайлович Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича (м. Чернівці), професор кафедри фізики напівпровідників та наноструктур;
 
доктор фізико-математичних наук, професор Ільчук Григорій Архипович Національний університет “Львівська політехніка”, професор кафедри фізики
Провідна установа:  Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут”, кафедра фізики металів і напівпровідників (м. Харків)
Захист відбудеться “ 24 ” квітня 2007 р. о 15.30 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою: вул. Кирила і Мефодія, 8, м. Львів, 79005, Велика фізична аудиторія.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка за адресою: вул. Драгоманова, 5, м. Львів, 79005.
Автореферат розісланий “ 21 ” березня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09
доктор фізико-математичних наук, професор Б.В. Павлик


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сьогодні тверді розчини CdxHg1-xTe (КРТ) є основним матеріалом для виготовлення багатоелементних фотоприймачів ІЧ діапазону спектра. Вагомі досягнення в галузі інфрачервоної техніки після відкриття КРТ вченими Великобританії та львівськими вченими наприкінці 50-х років минулого сторіччя стали можливі завдяки залученню за останні 45 років великого інтелектуального потенціалу і фінансових ресурсів провідних країн світу (США, Франція, Великобританія, СРСР).
Дослідженням властивостей CdxHg1-xTe присвячено десятки тисяч оригінальних праць, результати яких узагальнено в багатьох монографіях та оглядах. Можна стверджувати, що сьогодні основні фізико-хімічні властивості CdxHg1-xTe надійно встановлені. На думку провідних фахівців у галузі фотоприймачів для CdxHg1-xTe не існує обмежень фундаментального характеру, які б не дали змоги стати йому єдиним домінуючим матеріалом для виготовлення приймачів інфрачервоного діапазону спектра, а існують лише певні проблеми технологічного характеру. Тому CdxHg1-xTe ще тривалий час залишатиметься основним матеріалом для виготовлення фокальних матриць із критичними параметрами.
Подальший розвиток науково-технічного напрямку приймачів на КРТ здійснюватиметься шляхом розроблення та впровадження в серійне виробництво сучасних технологій росту матеріалу (молекулярно-променева епітаксія, газофазна епітаксія з пари металоорганічних сполук), розроблення конструкцій та технологій виготовлення багатоколірних приймачів, а також через пошук низькотемпературних методів формування фоточутливих p-n переходів, альтернативних йонній імплантації, які б не потребували додаткового термічного відпалу та були б сумісними із загальноприйнятою технологію мікроелектроніки. Серед таких методів найперспективнішими вважають різні види “сухого травлення”, зокрема, метод йонного травлення (ЙТ), який вперше запропоновано у патенті [1]. В основі його лежить явище р-n конверсії типу провідності у вакансійно-легованому р-CdxHg1-xTe в процесі взаємодії поверхні матеріалу з низькоенергетичними (енергії ~ 0,5-2 кеВ) йонами, наприклад, Ar.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26 



Реферат на тему: МОДИФІКАЦІЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdxHg1-xTe ПРИ ІОННОМУ ТРАВЛЕННІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок