Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРУЖНІ ДЕФОРМАЦІЇ ПРИ РЕЛАКСАЦІЇ ФОТОТЕРМІЧНОГО ЗБУДЖЕННЯ В КРИСТАЛАХ З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ П’ЄЗОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ

ПРУЖНІ ДЕФОРМАЦІЇ ПРИ РЕЛАКСАЦІЇ ФОТОТЕРМІЧНОГО ЗБУДЖЕННЯ В КРИСТАЛАХ З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ П’ЄЗОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ

Назва:
ПРУЖНІ ДЕФОРМАЦІЇ ПРИ РЕЛАКСАЦІЇ ФОТОТЕРМІЧНОГО ЗБУДЖЕННЯ В КРИСТАЛАХ З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ П’ЄЗОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,09 KB
Завантажень:
109
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
імені В.Є. Лашкарьова
Смірнов Олексій Борисович
УДК 621. 315. 592;
534. 222.1; 548. 4
ПРУЖНІ ДЕФОРМАЦІЇ ПРИ РЕЛАКСАЦІЇ ФОТОТЕРМІЧНОГО ЗБУДЖЕННЯ В КРИСТАЛАХ З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ П’ЄЗОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія наук України, м. Київ
Науковий керівник: | чл.-к. НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор
Сизов Федір Федорович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
завідувач відділом
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович,
Інститут фізики НАН України,
головний науковий співробітник
завідувач відділом
доктор фізико-математичних наук, професор
Лашкарьов Георгій Вадимович ,
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
завідувач відділом
Провідна установа: |
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет, кафедра загальної фізики, м. Київ
Захист відбудеться “18” лютого 2005 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою:
03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “18” січня 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Обробка твердого тіла, зокрема напівпровідникових кристалів, короткими імпульсами лазерного випромінювання (ЛВ) з можливістю дискретного вибору характеристик фотонного потоку на сьогодні є важливою компонентою сучасної науки матеріалів та технологій. Лазер є засобом, який вводить речовину в досить високий стан нерівноважності, при цьому, внаслідок термалізації початкового енергетичного розподілу та генерації надлишкового тиску та температури, відбувається швидка зміна станів та параметрів кристалічної системи, що є причиною таких ефектів, як фазові перетворення, виникнення упорядкованих, схильних до самоорганізації нанорозмірних структур, нетермічне плавлення та перекристалізація, допорогова лазерно-індукована трансформація у системі точкових дефектів матеріалу, що опромінюється, тощо. Проте, існування зв’язку та, певною мірою, навіть протиріччя між мірою дії та "біографією" напівпровідника призводить до того, що під час лазерної модифікації поряд із запланованими мають місце непередбачувані зміни фізичних властивостей матеріалу в області безпосередньої дії лазерної обробки та на значних відстанях від неї. Отже, актуальною стає задача випереджаючої оцінки дієвих чинників, що супроводжують поглинання енергії імпульсу оптичного квантового генератора (ОКГ) при опроміненні напівпровідників.
Одним з чинників дії імпульсного лазерного випромінювання (ІЛВ) на монокристал при умові власного поглинання є деформації, що формують збурення, які при певних умовах мають характер ультразвукових (УЗ) акустичних хвиль релеївського типу і які поширюються на значні, до 1000 мкм, відстані від місця їх генерації та можуть бути причиною ефекту лазерної "дальнодії".
Все це визначає актуальність досліджень у зазначеному напрямку та обумовлює вибір теми дисертаційної роботи, а саме - вивчення пружних деформацій, які виникають внаслідок релаксації фото-термічних напружень при поглинанні імпульсів оптичної енергії квантового генератора напівпровідниковим кристалом.
Зв`язок з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконувалася в рамках наукових програм ІФН ім. В.Є.Лашкарьова НАНУ:
1. "Фізикотехнологичні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікроелектроніки" (№ 0103U000363 Державної реєстрації).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ПРУЖНІ ДЕФОРМАЦІЇ ПРИ РЕЛАКСАЦІЇ ФОТОТЕРМІЧНОГО ЗБУДЖЕННЯ В КРИСТАЛАХ З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ П’ЄЗОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок