Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РЕКОМБІНАЦІЙНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ І ФОТОХІМІЧНІ ЯВИЩА В ШИРОКОЗОННИХ ШАРУВАТИХ КРИСТАЛАХ І СТРУКТУРАХ, ЗУМОВЛЕНІ СКЛАДНИМИ ДЕФЕКТАМИ ПРИ НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗБУДЖЕННЯХ

РЕКОМБІНАЦІЙНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ І ФОТОХІМІЧНІ ЯВИЩА В ШИРОКОЗОННИХ ШАРУВАТИХ КРИСТАЛАХ І СТРУКТУРАХ, ЗУМОВЛЕНІ СКЛАДНИМИ ДЕФЕКТАМИ ПРИ НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗБУДЖЕННЯХ

Назва:
РЕКОМБІНАЦІЙНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ І ФОТОХІМІЧНІ ЯВИЩА В ШИРОКОЗОННИХ ШАРУВАТИХ КРИСТАЛАХ І СТРУКТУРАХ, ЗУМОВЛЕНІ СКЛАДНИМИ ДЕФЕКТАМИ ПРИ НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗБУДЖЕННЯХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
44,28 KB
Завантажень:
49
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27 
ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ІВАНА ФРАНКА
БОНДАР
Вячеслав Дмитрович
УДК 538.113+535.34+535.37
РЕКОМБІНАЦІЙНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ І ФОТОХІМІЧНІ ЯВИЩА
В ШИРОКОЗОННИХ ШАРУВАТИХ КРИСТАЛАХ І СТРУКТУРАХ,
ЗУМОВЛЕНІ СКЛАДНИМИ ДЕФЕКТАМИ ПРИ
НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗБУДЖЕННЯХ
01.04.10. – Фізика напівпровідників і діелектриків
А в т о р е ф е р а т
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
ЛЬВІВ – 2002


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Львівському національному університеті імені Івана Франка,
Міністерства освіти і науки України
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук,
професор Вакарчук Іван Олексанрович,
Львівський національний університет
імені Івана Франка, ректор
Офіційні опоненти: член-кореспондент НАН України,
доктор фізико-математичних наук,
професор Блонський Іван Васильович,
Інститут фізики НАН України,
заступник директора
доктор фізико-математичних наук,
професор Матковський Андрій Орестович,
Національний університет “Львівська політехніка”,
завідувач кафедри напівпровідникової електроніки
доктор фізико-математичних наук,
професор Кікінеші Олександр Олександрович,
Ужгородський національний університет,
завідувач кафедри твердотільної електроніки
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Київ
 
Захист відбудеться 19 червня 2002 року о 15 год. 30 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка (79005, м. Львів, вул. Драгоманова, 50)
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка (79005, м. Львів, вул. Драгоманова, 5).
Автореферат розіслано 17 травня 2002 року.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
доктор фізико-математичних наук, професор Павлик Б.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сьогодні в твердотільній електроніці викорис-то-вується велика кількість різних за структурою і хімічним складом матеріалів, проте ведеться інтенсивний пошук нових матеріалів і можливостей покращення характеристик існуючих, як для вже відомих, так і для нових застосувань.
Серед великої кількості матеріалів для оптоелектроніки особливу увагу привертають люмінесцентні матеріали, які використовуються для створення дисплеїв, сцинтиляторів, засобів запису і візуалізації інформації тощо. Значну увагу останнім часом при-вертають люмінесцентні матеріали, які можуть застосовувати для створення плоско-панельних дисплеїв і володіти високими параметрами в тонкоплівковій формі.
Створення люмінесцентних матеріалів в об'ємній і плівковій формі зумовлює комплексне вирішення низки завдань, які включають наступне: вибір об'єктів, створення досконалих люмінесцентних матриць, дослідження їхньої структури і дефектів у них, дослідження фізики рекомбінаційних процесів у люмінофорах, вивчення процесів стабільності люмінесцентних матеріалів під дією зовнішніх чинників.
Ефективність люмінесценції в значній мірі визначається особливостями рекомбінаційного процесу, зумовленого, зазвичай, центрами свічення дефектного походження. У багатокомпонентних кристалофосфорах люмінесцентний процес, в більшості випадків, зв’язаний з рекомбінацією при участі складних дефектів, деколи сприяє підвищенню ефективності люмінесценції. Водночас складні центри свічення під дією збуджуючої радіації (ультрафіолетове, електронне, рентґенівське або електричне збудження) можуть змінювати свою структуру, що може викликати процеси деградації або призводити до модифікації властивостей матеріалів у потрібному напрямі. За певних умов це може знайти застосування для розроблення приймачів випромінювання або середовищ для запису інформації.
Отже, дослідження рекомбінаційних явищ, зумовлених складними дефектами, несуть у собі як важливий теоретичний аспект для подальшого розвитку фізики дефектів у твердих тілах, так і мають практичне значення для створення ефективних і стабільних люмінофорів, приймачів випромінювання та середовищ для запису інформації.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27 



Реферат на тему: РЕКОМБІНАЦІЙНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ І ФОТОХІМІЧНІ ЯВИЩА В ШИРОКОЗОННИХ ШАРУВАТИХ КРИСТАЛАХ І СТРУКТУРАХ, ЗУМОВЛЕНІ СКЛАДНИМИ ДЕФЕКТАМИ ПРИ НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗБУДЖЕННЯХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок