Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ ТА ДІРКОВІ СТАНИ В НАПРУЖЕНИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ InAs/GaAs

ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ ТА ДІРКОВІ СТАНИ В НАПРУЖЕНИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ InAs/GaAs

Назва:
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ ТА ДІРКОВІ СТАНИ В НАПРУЖЕНИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ InAs/GaAs
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,62 KB
Завантажень:
133
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
ДАНЬКІВ ОЛЕСЯ ОМЕЛЯНІВНА
УДК 539.12-164; 539.3
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ
НА ЕЛЕКТРОННІ ТА ДІРКОВІ СТАНИ
В НАПРУЖЕНИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ InAs/GaAs
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2007


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі загальної фізики Інституту фізики, математики та інформатики Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор, Пелещак Роман Михайлович, Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри загальної фізики.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, доцент, Головацький Володимир Анатолійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри теоретичної фізики,
доктор фізико-математичних наук, професор, Павлик Богдан Васильович, Львівський національний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри електроніки.
Провідна установа:   Інститут фізики НАН України, відділення теоретичної фізики, м. Київ.
Захист відбудеться 27 квітня 2007 року о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .051.01 Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, Чернівці, вул. Лесі Українки, 23.
Автореферат розісланий 23 березня 2007 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В.Курганецький
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В останні роки значно зріс дослідницький інтерес до напівпровідникових гетероструктур InAs/GaAs з нульвимірними напруженими нанооб’єктами InAs (квантовими точками (КТ)) [1-3]. Такі нанооб’єкти мають високий квантовий вихід фотолюмінесценції і є перспективним матеріалом для створення лазерів у близькій інфрачервоній області спектру [4], яку можна змінювати параметром деформації; p_n_структур на напруженій гетеромежі квантова точка – матриця; квантових комп’ютерів [5] та багатомодового лазера на основі квантових точок легованих різними домішками. Крім цього, як показують результати експериментальних досліджень [6], значення баричного коефіцієнта матеріалу квантових точок InAs є меншим на 20_% за відповідне його значення в масивному кристалі InAs.
Квантово-точкові структури (InAs/GaAs) утворюються під впливом поля внутрішньої пружної деформації, яке є наслідком як неспівпадіння параметрів ґраток, так і різних термічних коефіцієнтів між КТ та матричним матеріалом. Тому знання характеру поля деформацій в матеріалах КТ та матриці є необхідним для подальшого моделювання опто- і наноелектронних приладів, оскільки напруження значною мірою модифікує електронну зонну структуру квантової точки [7], яка, в свою чергу, сильно впливає на електронні характеристики наноматеріалів (баричний коефіцієнт, ефективну масу електрона і дірки та енергію оптичного переходу).
Знаючи закономірності перебудови електронних рівнів у квантових точках різної форми і розмірів під впливом деформації матеріалу квантової точки та матриці, можна прогнозовано керувати значенням баричного коефіцієнта, ефективної маси носіїв заряду та деградаційними ефектами, які зумовлені “розмиттям” носіїв заряду в енергетичному вікні порядку kТ в цих нанооб’єктах.
Теоретичні дослідження локалізованих електронних та діркових станів у квантових точках проведені або в кластерному наближенні [8], або в межах діелектричного континууму [9] без врахування впливу деформаційних ефектів, зумовлених деформацією матеріалу квантової точки та матриці скінчених розмірів, лапласівським тиском на межі квантова точка – матриця та відмінностей баричного коефіцієнта і ефективної маси носіїв заряду в нанооб’єктах та масивних кристалах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ НА ЕЛЕКТРОННІ ТА ДІРКОВІ СТАНИ В НАПРУЖЕНИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ InAs/GaAs

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок