Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МЕХАНІЗМИ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ ТА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ У БЕЗДОМІШКОВИХ І ЛЕГОВАНИХ ТЕЛУРОМ КРИСТАЛАХ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ

МЕХАНІЗМИ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ ТА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ У БЕЗДОМІШКОВИХ І ЛЕГОВАНИХ ТЕЛУРОМ КРИСТАЛАХ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ

Назва:
МЕХАНІЗМИ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ ТА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ У БЕЗДОМІШКОВИХ І ЛЕГОВАНИХ ТЕЛУРОМ КРИСТАЛАХ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,83 KB
Завантажень:
177
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
Ткаченко
ІРИНА ВОЛОДИМИРІВНА
УДК: 539.216.2:553.
621.315.592
МЕХАНІЗМИ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ ТА
ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ У БЕЗДОМІШКОВИХ І ЛЕГОВАНИХ
ТЕЛУРОМ КРИСТАЛАХ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ
01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2005
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор МАХНІЙ Віктор Петрович, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, професор кафедри оптоелектроніки
 
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор ЗАЯЧУК Дмитро Михайлович, Національний університет “Львівська політехніка”, професор кафедри фізики напівпровідників
доктор фізико-математичних наук, доцент ГОЛОВАЦЬКИЙ Володимир Анатолійович, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, доцент кафедри теоретичної фізики
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ)
Захист відбудеться 30 червня 2005 р. о 15.00 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 25 травня 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Вивчення механізмів утворення власних точкових дефектів (ВТД) у напівпровідниках зумовлено низкою причин, серед яких слід виділити наступні. По-перше, фізичні властивості ретельно очищених бездомішкових кристалів повністю визначаються складом і природою ВТД. По-друге, останні також суттєво впливають на поведінку домішкових атомів – їх розчинність, позицію у кристалічній гратці, зарядовий стан тощо. По-третє, прості ВТД, взаємодіючи між собою та іншими домішковими дефектами, можуть утворювати асоціативні центри, які порівняно з простими є енергетично більш вигідними. І нарешті, процеси легування домішковими атомами, особливо ізовалентними, часто супроводжуються генерацією додаткових ВТД. Це є однією з причин самокомпенсації та схильності деяких напівпровідникових сполук до переважаючої монополярної провідності. Звернемо увагу на те, що зазначені ефекти найбільш яскраво проявляються у широкозонних матеріалах, до яких, зокрема, відноситься і селенід цинку.
Останній упродовж багатьох років залишається одним з найбільш перспективних напівпровідників для виготовлення різних приладів короткохвильового діапазону спектра. На даний час уже створено зразки достатньо ефективних детекторів ультрафіолетового та іонізуючих випромінювань, а також блакитних світлодіодів. Натомість, подальше покращення експлуатаційних параметрів і характеристик зазначених приладів пов’язано як з пошуком нових типів домішок та технологій легування ними селеніду цинку, так і встановленням ансамблю точкових дефектів, у тому числі і власних.
У кінці 70-х років минулого століття було виявлено, що легування кристалів ZnSe ізовалентною домішкою Te приводить до значного збільшення ефективності оранжево-червоної смуги люмінесценції та підвищення її стійкості до дії температури і радіації [1]. Пізніше була також показана можливість отримання діркової провідності у сульфоселенідах цинку, яким, притаманна переважаюча електронна провідність [2]. Для інтерпретації згаданих вище властивостей автори залучають власні точкові дефекти кристалічної гратки, однак, аналіз зазвичай проводиться на якісному рівні. Зауважимо, що впливом ВТД можна також пояснити певні розбіжності результатів досліджень одних і тих же характеристик зразків з однаковим складом домішкових дефектів [1-4]. Разом з тим, аналіз літературних даних свідчить про те, що на даний час відсутня єдина точка зору на механізми утворення ВТД, їх кількісний склад та роль у формуванні основних фізичних властивостей селеніду цинку.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: МЕХАНІЗМИ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ ТА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ У БЕЗДОМІШКОВИХ І ЛЕГОВАНИХ ТЕЛУРОМ КРИСТАЛАХ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок