Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОТОЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ І ТОНКОПЛІВКОВІ ІНТЕРФЕРЕНЦІЙНІ ФІЛЬТРИ НА БАЗІ CdSb ТА In4Se3

ФОТОЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ І ТОНКОПЛІВКОВІ ІНТЕРФЕРЕНЦІЙНІ ФІЛЬТРИ НА БАЗІ CdSb ТА In4Se3

Назва:
ФОТОЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ І ТОНКОПЛІВКОВІ ІНТЕРФЕРЕНЦІЙНІ ФІЛЬТРИ НА БАЗІ CdSb ТА In4Se3
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,72 KB
Завантажень:
366
Оцінка:
 
поточна оцінка 3.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Національна академія наук України
та Міністерство освіти і науки України
ІНСТИТУТ ТЕРМОЕЛЕКТРИКИ
СТРЕБЕЖЕВ
ВІКТОР МИКОЛАЙОВИЧ

УДК 621.315.592:535.345.6
ФОТОЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ І ТОНКОПЛІВКОВІ ІНТЕРФЕРЕНЦІЙНІ ФІЛЬТРИ НА БАЗІ CdSb ТА In4Se3
01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2002 Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича
Науковий керівник
Доктор фізико-математичних наук, професор
Раренко Іларій Михайлович,
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
завідувач кафедри напівпровідникової мікроелектроніки.
Офіційні опоненти:
Доктор фізико-математичних наук, професор
Кікінеші Олександр Олександрович,
Ужгородський національний університет,
завідувач кафедри твердотільної електроніки.
Доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Семізоров Олександр Федорович,
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
професор кафедри термоелектрики.
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників НАН України, м.Київ
Захист відбудеться “15” березня 2002 р. о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.244.01 в Інституті термоелектрики, м.Чернівці, 58027, вулиця Дубінська, 9А.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту термоелектрики, вулиця Дубінська, 9А.
Автореферат розісланий “13” лютого 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Охрем О.А.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Швидкий розвиток ІЧ-техніки вимагає розширення кола напівпровідникових матеріалів, які застосовуються для розробок її елементної бази. Мікромініатюризація електронних пристроїв забезпечується використанням тонких плівок і шарів речовин, плівкових структур на монокристалах в якості елементів оптоелектроніки, мікроелектроніки, техніки надвисоких частот та інших областей сучасної електронної техніки.
Сполуки групи А2В5–CdSb і А3В6-In4Se3, що належать до анізотропних напівпровідників ромбічної сингонії і володіють близькими значеннями ширини забороненої зони (0,48 еВ і 0,65 еВ, відповідно) являють інтерес з точки зору практичного застосування в ІЧ-техніці як фоточутливих елементів і абсорбційних фільтрів. Але плівкам і шарам цих сполук в літературі присвячені тільки окремі роботи. Розвиток тонкоплівкових технологій робить перспективним створення на базі антимоніду кадмію CdSb і селеніду індію In4Se3 структур плівка-підкладка або шар-підкладка, що є елементами приладів і пристроїв ІЧ-техніки і електроніки. В силу ряду переваг, до яких належить технічна простота, керованість складом і властивостями, широко застосовуються технологія вакуумного напилення плівок і рідинна епітаксія шарів напівпровідників. У даній дисертаційній роботі проводиться теоретична і експериментальна розробка технологій вакуумного напилення і рідинної епітаксії для отримання плівок, шарів і плівкових структур на основі CdSb, In4Se3 та деяких інших, близьких до них сполук і твердих розчинів; комплексне вивчення їх фізичних властивостей з метою створення нових фоточутливих елементів та інтерференційно-абсорбційних фільтрів.
Фізичні властивості плівок і шарів CdSb, компоненти якого мають різко різний тиск парів, вивчалися мало, а наявна в літературі розрізнена інформація про них суперечлива. Це викликано відмінністю і недосконалістю методик їх одержання, які часто приводили до отримання багатофазних плівкових зразків нестехіометричного складу. Залишалося невивченим питання про одержання плівок CdSb та ізоструктурної з ним сполуки ZnSb стехіометричного складу шляхом термічного випаровування з тигельних випаровувачів квазізамкнутого типу, а також нарощування шарів гомо- і гетероструктур на CdSb і CdxZn1-xSb методом рідинної епітаксії.
В літературі відсутні дані про отримання рідинною епітаксією гомо- і гетероструктур на основі шаруватих халькогенідів In4Se3 і близького до нього за властивостями In4Тe3, а також їх твердих розчинів In4(Se3)1-хТe3х, які є новими матеріалами в ІЧ-техніці.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ФОТОЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ І ТОНКОПЛІВКОВІ ІНТЕРФЕРЕНЦІЙНІ ФІЛЬТРИ НА БАЗІ CdSb ТА In4Se3

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок