Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках Спеціальність

Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках Спеціальність

Назва:
Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках Спеціальність
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
12,15 KB
Завантажень:
427
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 
Київський Університет імені Тараса Шевченка
Барабанов Олександр Валерійович
УДК 621.315.592
Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках
Спеціальність
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук.
Київ – 1999


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Київському університеті імені Тараса Шевченка.
Науковий керівник: д. ф.-м. н., проф., Третяк Олег Васильович,
Київський університеті імені Тараса Шевченка, перший проректор, зав. кафедрою напівпровідникової електроніки радіофізичного факультету
Офіційні опоненти: д.ф.-м.н., с.н.с, Іщенко Станіслав Степанович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник;
д. ф.-м. н., проф., член-кор. НАН України,
Рябченко Сергій Михайлович,
Інститут фізики НАН України, зав. лаб.
Провідна установа: Одеський державний університет імені
І.І.Мечникова.
Захист відбудеться ‘24’ травня 1999 р. о15.00 годині в ауд. №46 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.31 в Київському університеті імені Тараса Шевченка за адресою: 252127, Київ-127, пр. Глушкова, 6, радіофізичний факультет.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Київського університету імені Тараса Шевченка (м. Київ, вул. Володимирська,58).
Автореферат розісланий “23” квітня 1999 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради А.Г. Шкавро


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Найважливішою рисою напівпровідників є сильна залежність їх властивостей від кількості та типу локалізованих станів в забороненій зоні. Електронні переходи за участю таких станів відіграють важливу роль, як в фізичних процесах, які відбуваються в напівпровідникових приладах, так і в низці явищ, які мають фундаментальне наукове значення.
В реальних напівпровідниках та напівпровідникових приладах одночасно можуть відбуватися електронні переходи декількох типів: прямі міжзонні, міжзонні за участю домішок, переходи між локалізованими станами в забороненій зоні. Протягом великого відрізку часу теорія електронних переходів в напівпровідниках базувалася на напівкласичних рівняннях для заселеності електронних рівнів. При цьому суто квантовий ефект – наявність у електрона спіну 1/2 – враховувався лише відповідним фактором виродження у статистичних співвідношеннях. Ані спінова динаміка, ані фундаментальні принципи квантової механіки не враховувались при розрахунках швидкості електронних переходів.
Рекомбінація носіїв заряду в кремнії та низці інших напівпровідників в основному відбувається за участю локалізованих станів у забороненій зоні напівпровідника. Завдяки цьому, швидкість рекомбінаційних переходів може залежати від спінового стану вільних та локалізованих електронів. Ця залежність обумовлена двома фізичними принципами – принципом Паулі та «законом збереження спіну», який виконується, коли гамільтоніан комутує з оператором спіну.
Якщо під дією зовнішнього впливу (наприклад, постійного чи змінного магнітного поля або поляризованого оптичного опромінення) змінюється спіновий стан нерівноважних носіїв заряду, то змінюється також і швидкість їх рекомбінації та, відповідно, провідність зразка. Спін-залежний доданок до сумарної швидкості рекомбінації за звичай знаходять шляхом вимірювання нерівноважної провідності у присутності квазістатичного та високочастотного магнітних полів: встановлюють певну частоту ВЧ поля, а потім повільно змінюють величину квазістатичного поля та реєструють зміну нерівноважної провідності за такого значення поля, яке відповідає електронному парамагнітному резонансу (ЕПР) у системі локалізованих станів. Отже, здійснюється електричне детектування магнітного резонансу (ЕДМР).
Дослідження явища спін-залежної рекомбінації (СЗР) на протязі 15 років після його експериментального виявлення мало переважно фундаментальне значення. З середини 80-х років явище СЗР почало використовуватись в якості ефективного методу для спектроскопії реальних напівпровідників та напівпровідникових структур.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 



Реферат на тему: Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках Спеціальність

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок