Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів

Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів

Назва:
Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,74 KB
Завантажень:
103
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР
ім. Б. І. ВЄРКІНА
Бомзе Юрій Валерійович
УДК 537.312.62, 538.945
Структура та надпровідність напівпровідних
гетероструктур халькогенидів свинцю, олова
та рідкісноземельних металів
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Фізико-технічному інституті низьких температур ім. Б. І. Вєркіна НАН України.
Науковий керівник:
доктор фізико-математичних наук,
Фогель Ніна Яківна,
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Вєркіна НАН України, провідний науковий співробітник відділу надпровідних і мезоскопічних структур.
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор,
Оболенський Михайло Олександрович,
Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна Міністерства освіти і науки України, завідувач кафедри фізики низьких температур.
доктор фізико-математичних наук, професор,
Нацик Василь Дмитрович,
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Вєркіна НАН України, головний науковий співробітник відділу фізики реальних кристалів.
Провідна установа:
Інститут Фізики НАН України,
лабораторія теорії недосконалих кристалів, м. Київ
Захист відбудеться “__7__” __червня__ 2005 р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.175.03 по захисту докторських дисертацій при Фізико-технічному інституті низьких температур ім. Б. І. Вєркіна НАН України за адресою: 61103, м. Харків, пр. Леніна, 47.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці ФТІНТ ім. Б. І. Вєркіна НАН України (м. Харків, пр. Леніна, 47).
Автореферат розісланий “__6_” ___травня__ 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Д 64.175.03
доктор фізико-математичних наук, професор Сиркін Є. С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Однією з очевидних тенденцій у розвитку сучасних нанотехнологій є контрольоване формування композитних матеріалів у наномасштабах. Подібні комбінації матеріалів з різними власними властивостями (электро- і теплопровідність, магнітне або надпровідне упорядкування, пружні властивості) виявляють незвичайні характеристики внаслідок мезоскопічної поведінки їх компонентів. Прикладами успіху подібних зусиль є металоорганічні сполуки], структури, що складаються з вуглецевих нанотрубок,3] та фулеренів], а також електромеханічні системи наномасштабів].
Створення структур, у яких пружні й електронні властивості змінюються на наномасштабах, можливо і без застосування нанотехнологій. Прикладом можуть служити тривимірні епітаксіальні надґратки, що складаються з ізоморфних монохалькогенидів різних металів. Модуляція фізичних характеристик надґраток у перпендикулярному до шарів напрямку забезпечується почерговим напилюванням двох напівпровідників. Модуляція в площині шарів відбувається через наявність регулярної сітки крайових дислокацій невідповідності на поверхнях поділу між двома ізоморфними шарами]. Період дислокаційної сітки дорівнює декільком нанометрам, що дозволяє називати ці надґратки наноструктурами.
Давно відомо, що напівпровідникові надґратки PbTe/SnTe] та PbTe/PbS,9] переходять у надпровідний стан при температурах 5,5та 6відповідно. Серед напівпровідників, що входять до складу цих надґраток, тільки SnTe є надпровідником з Tc=0,2210]. Запропоновані пояснення появи надпровідності з настільки високим Tc у зазначених гетероструктурах суперечливі, і жодне з них не є задовільним на сьогоднішній день,9,11]. З'ясування реальних механізмів, що сприяють появі надпровідності в багатошаровій системі PbTe/PbS, а також пошук аналогічних систем є темою даної дисертації.
Зв'язок роботи з науковими темами, планами. Дисертаційна робота виконана у Фізико-технічному інституті низьких температур ім. Б. І. Вєркіна НАН України відповідно до теми “Квантові когерентні явища в надпровідних та мезоскопічних структурах”, номер державної реєстрації 0100U006265.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок