Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СТРУКТУРНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАГАТОШАРОВОЇ СИСТЕМИ InxGa1-xAs1-yNy/GaAs ЗА ДАНИМИ ДВОКРИСТАЛЬНОЇ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ

СТРУКТУРНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАГАТОШАРОВОЇ СИСТЕМИ InxGa1-xAs1-yNy/GaAs ЗА ДАНИМИ ДВОКРИСТАЛЬНОЇ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ

Назва:
СТРУКТУРНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАГАТОШАРОВОЇ СИСТЕМИ InxGa1-xAs1-yNy/GaAs ЗА ДАНИМИ ДВОКРИСТАЛЬНОЇ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,95 KB
Завантажень:
206
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ЧЕРНIВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНIВЕРСИТЕТ
IМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
КРОЙТОР
ОЛЬГА ПЕТРІВНА
УДК 539.548.732
СТРУКТУРНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАГАТОШАРОВОЇ СИСТЕМИ
InxGa1-xAs1-yNy/GaAs ЗА ДАНИМИ ДВОКРИСТАЛЬНОЇ
Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ
Спеціальність 01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертацiї на здобуття наукового ступеня
кандидата фiзико-математичних наук
Чернiвцi – 2003


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Чернівецького
національного університету імені Юрія Федьковича.
Міністерство освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Фодчук Ігор Михайлович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича,
професор кафедри фізики твердого тіла
Офiцiйнi опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Прокопенко Ігор Васильович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
м. Київ, заступник директора
доктор фізико-математичних наук, професор
Ковалюк Захар Дмитрович,
завідувач Чернівецьким відділенням Інституту
матеріалознавства НАН України
Провідна організація: Iнститут металофізики НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “ 30 “ жовтня 2003р. о 1700 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий “ 30 “ вересня 2003р.
Вчений секретар
спецiалiзованої вченої ради Курганецький М.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми досліджень. Дисертація присвячена дослідженню структурної досконалості нанорозмірних систем, які містять квантові ями типу , за допомогою двокристальної Х-променевої дифрактометрії.
За останні роки зріс інтерес до багатошарових гетероструктур, оскільки вони є основою для виробництва лазерів, сонячних елементів і т.д. Особливо перспективними є багатошарові нанорозмірні структури А3В5, що містять квантові ями (КЯ) типу . Довгохвильові лазерні діоди на основі цих сполук характеризуються надійним високотемпературним функціонуванням при використанні в оптоволоконних передавальних системах.
Введення атомів In у GaAs збільшує постійну ґратки і зменшує ширину забороненої зони Eg, тоді як впровадження атомів N у GaAs зменшує і постійну ґратки і заборонену зону. Шляхом легування взаємодіючих In і N у GaAs, можна змоделювати області заборонених зон і постійні ґраток, які потрібні для одержання кращих фотогальванічних властивостей. Квантову яму можна виростити з ґраткою, сумісною з ґраткою GaAs і з Eg у діапазоні 0,91,4 еВ. Проте, поки що залишаються значні труднощі в отриманні систем потрібної якості. Відомо, що структурна досконалість даних матеріалів сильно залежить від багатьох чинників, а саме, концентрації основних складових, температури підкладки, умов росту та інших технологічних факторів. Якість систем на основі досить швидко погіршується зі збільшенням вмісту N, оскільки, швидко збільшується локальна деформація та кластеризація у деформованих шарах. Отже, тільки при повному врахуванні всіх можливих технологічних факторів можна створити надійні технології одержання багатошарової структури на основі з високою кристалічною якістю.
Для багатьох епітаксійних структур границя розділу між шарами грає роль активної області при різних явищах. А це в свою чергу свідчить про те, що процеси, які відбуваються на гетерограниці визначають фізичні властивості епітаксійних структур. Пояснення механізмів взаємодифузії компонент на інтерфейсі шарів нанорозмірних багатошарових систем та отримання високої їх якості складає, на даний час, досить важливу і актуальну проблему. Вияснення такого роду процесів дає змогу встановити закономірності зміни фізичних властивостей зі зміною складу системи.
Високороздільна Х-променева дифракція є важливим неруйнуючим високоефективним інструментом дослідження складу сполук та релаксації напруг на границях розділу ультратонких епітаксійних шарів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: СТРУКТУРНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАГАТОШАРОВОЇ СИСТЕМИ InxGa1-xAs1-yNy/GaAs ЗА ДАНИМИ ДВОКРИСТАЛЬНОЇ Х-ПРОМЕНЕВОЇ ДИФРАКТОМЕТРІЇ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок