Загрузка...
Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Безкоштовно реферат на тему: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

Загрузка...

РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ / сторінка 11

Назва:
РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,81 KB
Завантажень:
307
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0
Загрузка...
Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 

Key words: solar cell, silicon, gettering, diamond-like films, antireflection and protective coatings, solar batteries and modulus.
АННОТАЦИЯ
Горбулик В.И. “Разработка высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей на основе кремния”.- Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 – твердотельная электроника. – Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы,
2001 г.
Диссертация посвящена разработке высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей на основе кремния за счет улучшения рекомбинационных свойств материла, применения новых технологических и конструктивных решений. Проведен анализ и выполнены экспериментальные исследования эффективности различных методов геттерирования примесей в кремнии в зависимости от технологических режимов геттерирующих обработок и состояния кислорода в материале.
Впервые предложена эффективная технология геттерирования рекомбинационно-активных примесей в пластинах Si с внутренними преципитатами SiO2. Технология включает нанесение пленки германия, ионное перемешивание (ионами Ar+) границы раздела пленка-подложка и пост-имплантационный отжиг. Механизм действия такого геттера обусловлен следующими факторами: пленка германия после ионного перемешивания создает градиент механических напряжений в объеме пластины и стимулирует отрыв примесей от внутренних геттерных центров; во время ионного перемешивания происходит инжекция междуузельных атомов кремния, влияющих на процессы взаимодействия преципитатов с рекомбинационно-активными примесями; кроме того, имеют место различия коэффициентов сегрегации примесей в геттерном слое и в кремниевой пластине, что позволяет достичь перераспределения примесей и закрепления их в геттерной области. Показано, что применение предложенного геттера позволяет существенно увеличить длину диффузии неосновных носителей заряда в кремнии (от 25 до 100 микрон). Данные значения достаточны для использования такого материала в производстве солнечных элементов с КПД 12ё15%.
Проведено исследование оптических свойств алмазоподобных углеродных пленок (АПП) и пленок карбида кремния и установлено, что при определенных режимах осаждения могут быть получены пленки с показателем преломления n~2,0. Данное значение является оптимальным при просветлении кремния однослойным покрытием. Установлено, что применение таких пленок в качестве просветляющих и пассивирующих покрытий позволяет значительно (в 1,3ё1,45 раза) повысить КПД солнечных элементов (СЭ) на основе кремния. Наилучшего результата удалось достичь при применении двухслойного покрытия на основе углеродных пленок. Показано, что улучшение КПД СЭ в результате нанесения АПП просветляющих покрытий обусловлено не только уменьшением потерь на отражение света, но также пассивацией поверхности СЭ за счет плазменной обработки до и в процессе осаждения покрытия. Последнее обстоятельство обуславливает наблюдаемое увеличение напряжения холостого хода и фактора заполнения вольт-амперной характеристики СЭ после нанесения АПП. Нанесение пленок карбида кремния позволяет повысить КПД СЭ исключительно за счет эффекта просветления.
Обоснована и практически подтверждена целесообразность использования трехслойной контактной системы хром-медь-припой при производстве СЭ для мощных фотоэлектрических модулей. Выполнена разработка оптимальных конструкций и оптимизированы технологические процессы производства СЭ и модулей, которые максимально учитывают особенности используемого материала.
Ключевые слова: солнечный элемент, кремний, геттерирование, алмазоподобные пленки, просветляющие и защитные покрытия, солнечные батареи и модули.
Загрузка...

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Реферат на тему: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок