Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

Загрузка...

РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ / сторінка 2

Назва:
РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,81 KB
Завантажень:
307
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Загрузка...
Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Такі пластини характеризуються значним вмістом рекомбінаційно-активних домішок, які приводять до зниження ефективності СЕ. На даний час ця проблема ще далека від розв'язання. Тому розробка нових ефективних методів гетерування домішок і дефектів у Si є актуальним завданням сучасної твердотільної електроніки.
Важливим практичним завданням є розробка та створення ефективних та оптимальних конструкцій і технологій виготовлення сонячних елементів і модулів фотоелектричних перетворювачів різної потужності з високим ККД.
Одним з ефективних шляхів підвищення ККД СЕ є нанесення на їх робочу сторону антивідбиваючих, просвітлюючих покриттів. Це особливо актуально для СЕ, виготовлених на основі матеріалів, що мають великий показник заломлення в області максимуму сонячного спектра, зокрема для Si. Традиційні покриття, що використовуються для Si (SiO2, Si3N4 та ін.) в якості просвітлюючих, мають свої недоліки: не задовольняють умову оптимального просвітлення; не володіють необхідними пасивуючими властивостями; наносяться при досить високих температурах; мають незадовільні механічні властивості. Перспективними просвітлюючими та захисними покриттями для Si є алмазоподібні вуглецеві плівки (АПП). Переваги АПП – їх висока міцність, хімічна та радіаційна стійкість, а також можливість у широких межах змінювати їх оптичні властивості при зміні умов нанесення. Разом з тим, на момент постановки даної роботи існували тільки поодинокі дослідження в цьому напрямку. Тому завдання по оптимізації технологічних режимів отримання АПП з заданими властивостями та дослідження СЕ з просвітлюючими покриттями на їх основі є дуже актуальним.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дослідження, результати яких наведені в дисертації, проводились у Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича, ОКБ “Рута”, Інституті фізики напівпровідників НАН України в рамках таких тем:
1. Бюджетної теми №01990001900 “Радіоелектронні прилади, пристрої та їх елементна база” (автором розроблено конструкцію та технологічні режими виготовлення СЕ для малогабаритної апаратури).
2. Проекту Міннауки України 4.4/406 “Дослідження механізмів формування алмазоподібної структури низькотемпературних вуглецевих плівок та їх модифікації” за договором №4/313-97 від 26 вересня 1997 року (автором проведені дослідження оптичних властивостей АПП).
3. Проекту Українського науково-технологічного центру (УНТЦ) №382 “Розробка та виготовлення високоефективних фотоелектричних перетворювачів для створення наземних сонячних батарей” (1996-1998 р.р.) (автор досліджував вплив термічних відпалів на рекомбінаційні параметри Si, брав участь у розробці конструкції і технологічного маршруту виготовлення СЕ та вимірюваннях їх параметрів).
4. Держбюджетної науково-технічної роботи “Фізико-технологічні та конструкторські розробки по підвищенню ККД та здешевленню вартості кремнієвих сонячних елементів та модулів в умовах серійного виробництва” (реєстраційний №04.07/07264, 1997-2000 р.р.) (автором визначені параметри технологічного процесу виготовлення СЕ на пластинах, що є відходами мікроелектронного виробництва)
5. Міжнародного проекту УНТЦ U-031 “Розробка фотоперетворювачів сонячної енергії на основі структур нового типу ”Іонно-модифіковані та алмазоподібні шари – полікристалічний кремній” (автором проведена оптимізація технологічних умов нанесення АПП для просвітлення СЕ).
6.
Мета і задачі дослідження. Мета роботи – розробка ефективних методів гетерування домішок у кремнії та конструктивних рішень і технологічних підходів, що є основою для створення високоефективних конструкцій елементів і модулів фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію та промислових технологій їх виробництва при суттєвому зниженні собівартості.
При цьому вирішувались такі наукові завдання:
- дослідження рекомбінаційних параметрів у пластинах кремнію в залежності від їх термічної передісторії та високотемпературних обробок, що впливають на хімічно-структурний стан кисню в Si;
- розробка технологічних режимів процесів гетерування з застосуванням різних типів гетерів і температурних обробок для поліпшення фотоелектричних характеристик пластин кремнію;
- розробка методу гетерування домішок у пластинах Si, що містять внутрішні гетерні центри у вигляді мікропреципітатів SiO2;
- дослідження властивостей алмазоподібних вуглецевих плівок та плівок карбіду кремнію і можливості їх використання як захисних та просвітлюючих покриттів для кремнієвих СЕ з метою підвищення ефективності фотоперетворення;
- розробка оптимальних конструкцій та оптимізація технологічних процесів виготовлення сонячних елементів і фотоелектричних модулів (ФМ), які максимально враховують особливості застосовуваного кремнієвого матеріалу.
Загрузка...

Завантажити цю роботу безкоштовно

Загрузка...
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Реферат на тему: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок