Загрузка...
Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат безкоштовно: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

Загрузка...

РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ / сторінка 6

Назва:
РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,81 KB
Завантажень:
307
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0
Загрузка...
Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 

Для подальшого аналізу механізмів гетерування детально досліджені дві гетеруючі процедури: перша включала імплантацію іонів водню з енергією 150 кеВ, друга – нанесення плівки германію на тильну сторону пластин та іонно-променеве перемішування границі поділу Ge-Si. Після нанесення гетера проводився термічний відпал при T = 900oC в атмосфері аргону протягом 1 год. Вибір цих методів гетерування зумовлений різними механізмами їх дії на рекомбінаційні центри. Водень пасивує обірвані зв'язки, що можуть бути рекомбінаційно-активними, а плівка Ge, як відзначалось вище, ефективно гетерує металеві домішки та впливає на стан преципітатів SiO2. Як випливає з рис. 2, імплантація водню малоефективна для пластин, що містять внутрішні гетерні центри, і дозволяє підвищити значення LD майже вдвічі в пластинах, що не проходили попередніх термообробок. Водночас друга гетеруюча процедура ефективна для пластин обох типів, а в пластинах, що пройшли термообробки, збільшує LD майже в 3,5 раза.
Отримані результати підтверджують запропоновані механізми гетерування і попередні висновки.
У третьому розділі роботи наведено результати досліджень оптичних і механічних властивостей аморфних вуглецевих (а-С:H і a-C:H:N) та карбідокремнієвих (a-SiC) плівок, а також вивчено можливість їх застосування як захисних та просвітлюючих покриттів для сонячних елементів на основі кремнію. Плівки a-C:H осаджувались з плазми високочастотного (ВЧ) розряду (13,56 Мгц) у реакторі ємнісного типу при кімнатній температурі. Використовувалась суміш газів СН4, Н2 і N2 в різних пропорціях. Властивості плівок змінювались при варіації параметрів процесу осадження, а саме: величини ВЧ зміщення на підкладці, тиску газу в робочій камері та складу газової суміші. За рахунок зміни вказаних параметрів були отримані плівки з показником заломлення n~2.0, що, виходячи з умови оптимального просвітлення для одношарового покриття nплівки=(nпідкладки)1/2, свідчить про їх придатність як просвітлюючих покриттів для СЕ на основі кремнію (при довжині хвилі світла l=632,8 нм nSi=3,96). При цьому коефіцієнт екстинкції k плівок не перевищував значень 0,05ё0,125, оптична ширина забороненої зони Еопт досягала 2,0 еВ, а твердість Н наближалась до 10 ГПа. Деякі параметри плівок, а також значення ККД СЕ з і без просвітлюючих покриттів, виміряні в умовах АМ1,5, наведені в табл. 1. Показано, що нанесення навіть одношарової просвітлюючої а-C:H:N (або а-C:H) плівки дозволяє зменшити коефіцієнт відбивання R не тільки порівняно з вихідним кремнієм, але й зі структурою SiO2-Si. При цьому у мінімумі відбивання R має значення 1-1,5%. Спектральне положення мінімуму відбивання залежить від товщини плівки d і, в нашому випадку, вибиралось близьким до максимуму спектральної чутливості кремнієвого СЕ. Таке зменшення нефотоактивних втрат у першу чергу приводить до збільшення
струму короткого замикання Iкз, (див. табл. 1). Необхідно відзначити, що поряд зі збільшенням Ікз після нанесення плівки а-C:H:N спостерігається суттєве підвищення напруги холостого ходу Vxx та фактору заповнення FF. Даний ефект може бути зумовлений як пасивацією рекомбінаційно-активних центрів на поверхні СЕ, так і гетеруючою дією плівки a-C:H:N.
Таблиця 1.
Параметри a-C:H:N плівок та значення ККД СЕ на основі Si (в умовах АМ 1,5) без та з захисними і просвітлюючими плівками.
№ зразка Параметри процесу Параметри плівки a-C:H:N ККД СЕ, %
PN2,% P, Тор d, нм N k Eopt, еВ
1 - - - - - - 10.6
1a 5 0.4 63 1.98 0.09 2.2 14.3
2* - - - - - - 9.96
2a* 5\40 0.2\0.8 70\108 2.04\1.65 0.124\0.005 2.0\3.96 14.2
де PN2 та P – тиск азоту та загальний тиск в камері в процесі осадження; *Iкз, Vхх та FF дорівнюють: для СЕ № 2 - 57, 2 мА, 0,601 В та 0,677. Для СЕ № 2а - 78 мА, 0,618 В та 0,701.
Результати, отримані для кремнієвих сонячних елементів з просвітлюючими плівками SiC, наведені в табл. 2. Плівки SiC осаджувались методом йонно-плазмового розпилення мішені SiC в атмосфері аргону і водню при підвищеній температурі підкладки. Як видно з табл. 2, нанесення плівок SiC дозволяє збільшити ККД кремнієвих СЕ в 1,2ё1,3 раза.
Загрузка...

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Реферат на тему: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок