Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати безкоштовно: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ


РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ / сторінка 7

Назва:
РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,81 KB
Завантажень:
307
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
При цьому збільшення ККД зумовлене в даному випадку винятково просвітлюючим ефектом, оскільки Vxx і FF СЕ після нанесення плівки SiC не змінилися. З табл.2 також видно, що ефект збільшення ККД більш виражений для СЕ з плівкою SiC товщиною 71 нм. Це зумовлено тим, що в даному випадку товщина і показник заломлення плівки близькі до оптимальних значень. Плівки SiC також характеризуються високою термостабільністю. Зокрема, після швидких термічних відпалів протягом 30 секунд при температурах 300-600оС оптичні властивості плівок не змінилися, що пов'язано з низьким вмістом водню в плівках SiC.
Таблиця 2.
Параметри a-SiC плівок та значення ККД СЕ на основі Si без та з просвітлюючими плівками. Вимірювання параметрів СЕ проводились в умовах АМ1,5.
№ зразка Параметри процесу Плівка a-C:H:N ККД СЕ, %
tdep, с Tsub,C d, нм N k Eopt, еВ
3 - - 11.1
3a 80 350 71 1.99 0.015 2.2 14.4
4 - 10.8
4a 60 150 54 1.97 0.01 2.25 12.7
де tdep та Tsub – час осадження плівки SiC і температура підкладки.
Четвертий розділ присвячено розробці та дослідженню конструкції і технології виготовлення ефективних СЕ на регенерованому кремнії. На основі аналізу літературних даних за базову вибрано типову конструкцію СЕ з р-n переходом на монокристалічному кремнії (рис. 3). Базова конструкція була доповнена мезаструктурою по периметру СЕ з метою уникнення появи дефектів у місцях виходу р-n переходу на поверхню при розділенні підкладки на окремі елементи.
Рис. 3. Структура сонячного елемента.
Проведено розрахунки параметрів оптимальної контактної сітки на фронтальному боці СЕ і вибрано такі габаритні розміри елементів: 1ґ2, 2ґ2, 2ґ4 см. На основі проведених розрахунків розроблено комплект топологічних шарів фотошаблонів для виготовлення СЕ.
Визначено оптимальну концентрацію фосфору в газовій фазі при дифузійному формуванні p-n переходу та швидкість охолодження зразків після дифузії. Максимальне значення часу життя нерівноважних носіїв струму досягається при концентрації POCl3 в газовій фазі ~6% та швидкості охолодження 2°С/хв. Визначено параметри легованого n+ шару: глибина залягання р-n переходу xj=0.2ё0.5 мкм; концентрація легуючої домішки ND = 5х1018ё1019 см-3.
Для оптимізації процесу створення мезаструктури нами досліджувалась можливість використання у якості маскуючого шару при травленні Si у стандартному травнику (суміш азотної і плавикової кислот) діоксиду кремнію, отриманого методом термічного окислення. Встановлено, що при зниженні температури травника та зміні співвідношення його компонент можна досягти високого значення коефіцієнта селективності травлення Si стосовно діоксиду кремнію (> 200). Це забезпечує можливість травлення Si з використанням в якості маскуючого шару дешевих плівок SiО2.
Результати випробувань дослідних партій СЕ показали, що отримана ефективність СЕ нижча від прогнозованих значень, що пов'язано з впливом деградаційних факторів, якими в результаті досліджень виявились:
- обробки пластин в окислювальному середовищі при Т=950°С, що порушує оптимальний баланс потоків точкових дефектів, при яких відбувається ефективне гетерування, та спричиняє часткове руйнування гетерного шару;
- шунтування мілкого (~0,2 мкм) робочого р-n переходу алюмінієм, який дифундує в кремній при впалюванні контактів;
- локальні закорочування р-n переходу, пов'язані з наявністю дефектів у фотошаблонах та фоторезисті при витравлюванні мезаструктури.
На основі цих досліджень була відкоригована технологія виготовлення СЕ, а саме: 1) збільшено глибину залягання р-n переходу до 0,4ё0,5мкм; 2) замінено високотемпературний процес окислення при формуванні просвітлюючих плівок SiO2 плазмохімічним нанесенням SiO2 чи АПП. Ефективність СЕ, виготовлених за скоригованій технології, становить 14,9±0,2%.
При створенні дешевих СЕ великої площі запропоновано використати в якості контактної системи тришарову структуру, що складається з адгезійного підшару Cr товщиною 100ё200е, мідного струмопровідного шару товщиною 2ё3 мкм та шару припою товщиною 2ё3 мкм. Уперше запропоновано наносити тонкий шар припою шляхом вакуумного термічного осадження в єдиному процесі після осадження Cr та Cu, що запобігає окисленню Cu, дозволяє зменшити перехідний опір контактів СЕ та створює можливість додаткового якісного лудження поверхні контактів шляхом наступного занурення в припій.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Реферат на тему: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок