Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Безкоштовно реферат скачати: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ


РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ / сторінка 9

Назва:
РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,81 KB
Завантажень:
307
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Даний ефект зумовлений зменшенням втрат на відбивання світла, пасивацією поверхні СЕ під час плазмової обробки до і в процесі нанесення покриття і гетерною дією збагаченої воднем вуглецевої плівки.
5. Показано, що при нанесенні термічно стійких захисних і просвітлюючих плівок карбіду кремнію з твердістю >20 ГПа коефіцієнт корисної дії кремнієвих сонячних елементів може збільшуватися в 1,32 раза, причому винятково за рахунок ефекту просвітлення.
6. На основі отриманих конструктивно-технологічних рішень розроблено промислову технологію виготовлення сонячних елементів, яка відрізняється від традиційних використанням нових методів гетерування та алмазоподібних плівок в якості просвітлюючих та пасивуючих покриттів. Ефективність таких СЕ становить 14ё15%, а середня собівартість оцінюється на 10ё20% нижче від собівартості СЕ, отриманих на стандартному кремнії без гетерних обробок.
7. Розроблено конструкцію та технологію виготовлення модулів фотоперетворювачів напругою 16 В та потужністю 34, 17, 8.5, 7, 5 Вт. У результаті проведення випробовувань показано, що середня ефективність виготовлених модулів в умовах АМ1,5 складає 11.4±1.2%
Список опублікованих праць.
1. Политанский Л. Ф., Борисов Н.Н., Горда Е. Л., Геллер В. И., Герасим В. В., Горбулик В. И., Романюк А. Б. Селективное глубинное травление кремния с использованием маски двуоксида кремния // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.- 1997.- №32.- с. 114-116.
2. Romanyuk B.N., Popov V.G., Litovchenko V.G., Klyui N.I., Romanyuk A.B., Gorbulik V.I., Moskal D.N., Volkov S.G. Evolution of recombination parameters of “solar” monocrystalline silicon due to thermal and gettering treatments // Functional Materials.– 1998.– V.5, № 4.– P.555-560.
3. Горбулик В.І., Клюй М.І., Литовченко В.Г., Костильов В.П., Романюк А.Б. Покращення характеристик кремнієвих сонячних елементів нанесенням захисних та просвітлюючих a-C:H:N плівок // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка.– 1999.– вип. 66 . – C. 14-17.
4. Klyui N.I., Litovchenko V.G., Kostylyov V.P., Rozhin A.G., Gorbulik V.I., Voronkin M.A., Zaika N.I.. Silicon Solar Cells with Antireflecting and Protective Coatings Based on Diamond-Like Carbon and Silicon Carbide Films // Optoelectronics Review.- 2000.- v.8, No 4.- p.406-409.
5. Litovchenko V.G., Klyui N.I., Kostylyov V.P., Gorbulik V.I., Piryatinskii Yu.P.. Nitrogen Containing Diamond-Like Carbon Films as Protective and Fluorescent Layers for Silicon Solar Cells // Optoelectronics Review.- 2000.- v.8, N4.- p.402-405.
6. Романюк Б.М., Попов В.Г., Мельник В.П., Клюй М.І., Горбулик В.І., О.С. Оберемок. Вплив термічних обробок на час життя нерівноважних носіїв заряду в Cz-Si // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка.– 2000.– вип. 79 . – C. 25-29.
7. Горбулик В.І., Романюк Б.М., Політанський Л.Ф., Попов В.Г., Клюй М.І., Волков С.Г.. Технологічні і конструктивні особливості створення модулів сонячних фотоперетворювачів на основі кремнію // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка.– 2000.– вип. 86.– C. 76-80.
8. Горбулик В.І., Клюй М.І., Литовченко В.Г., Мельник В.П., Марченко Р.І., Попов В.Г., Романюк Б.М. Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в кремнії. Позитивне рішення по заявці №2000042047 від 10.04.2000.
9. Горбулик В. И., Зингер Ю. И., Политанский Л. Ф., Лыс А. Ф., Коверзин А. С.. Фотоелектрический преобразователь на переходе SnO2/In2O3 - SiО2 – n-Si // Тезисы докладов конференции “Новые технические процессы, обеспечивающие прогресс производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и повышение их надёжности” Серия 2. Полупроводниковые приборы. Часть I.- Черновцы.- 1986.- с. 36.
10. Gorbulyk V. I.. The tehnology of production of colar cell based on using resorted waste of monocrystalline silicon // Book of abstracts of Second International School-conferense "Physical Problems in Material Science of Semiconductors ".

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Реферат на тему: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок