Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

Назва:
РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,81 KB
Завантажень:
307
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ЧЕРНIВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНIВЕРСИТЕТ
iмені ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
ГОРБУЛИК ВОЛОДИМИР ІВАНОВИЧ
УДК 621.383.51
РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ
ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ
05.27.01 – твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертацiї на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Чернiвцi - 2001
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі радіотехники Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України, в Інституті фізики напівпровідників НАН України, Особливому конструкторському бюро “Рута” Державного комітету промислової політики.
Науковий керівник - доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Клюй Микола Іванович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник.
Офіційні опоненти - доктор технічних наук, старший науковий співробітник Ащеулов Анатолій Анатолійович, Інститут термоелектрики НАН України, завідувач відділу; кандидат фізико-математичних наук Євтух Анатолій Антонович, Науково-дослідний інститут мікроприладів Державного комітету промислової політики України, начальник лабораторії.
Провідна установа - Національний університет “Львівська політехніка”, кафедра електронних приладів, Міністерство освіти і науки України, м. Львів.
Захист відбудеться 27 червня 2001 р. о 15 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К 76.051.06 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича (58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2).
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Л.Українки, 23)
Автореферат розісланий 26 травня 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ.
Актуальнiсть теми. Світова енергетична криза стає все більш актуальною у зв'язку зі зменшенням запасів традиційних енергетичних ресурсів, що породжує необхідність розробки і використання альтернативних, екологічно чистих, і в першу чергу, відтворюваних джерел енергії. Це завдання особливо важливе та актуальне для України, яка в останні роки зіткнулась з проблемою гострої нестачі енергоресурсів.
Особливо перспективним і практично невичерпним джерелом енергії є сонячне випромінювання. Тому необхідність розв'язання проблеми перетворення сонячної енергії в електричну з високим коефіцієнтом корисної дії (ККД) є все більш невідкладним завданням. Серед існуючих методів перетворення сонячного випромінювання в електричну енергію (термоелектричний, фотоелектрохімічний та ін.) вигідно відрізняється за даним параметром фотовольтаїчний метод, який використовує напівпровідникові сонячні батареї (СБ). Цей метод показав високу ефективність при роботі СБ у космосі і на Землі. Найбільшого поширення на сьогодні набули фотоелектричні перетворювачі (ФЕП) на основі кремнію (близько 90% світового ринку ФЕП). Незважаючи на пошуки нових перспективних матеріалів для сонячної енергетики, кремній залишається поки що поза конкуренцією. Використання кремнієвого матеріалу перспективне з точки зору розвитку широкомасштабного виробництва ФЕП в Україні, що зумовлено наявністю потужних підприємств по вирощуванню полікристалічного та монокристалічного Si високої якості, спорідненістю більшості технологій по створенню ФЕП з базовими технологічними процесами мікроелектронного виробництва і, отже, готовністю мікроелектронних підприємств до широкомасштабного випуску ФЕП на основі Si.
Проте те широке впровадження екологічно чистих ФЕП на основі кремнію стримується відносно високою їх вартістю, значну долю якої становить вартість вихідних пластин монокристалічного кремнію. Роботи по зниженню вартості сонячних елементів (СЕ) на основі Si проводяться в кількох напрямках: вирощування відносно дешевих полікристалічного й аморфного Si або монокристалів кремнію спеціально для виготовлення ФЕП; розробка нових конструкцій і технологій виготовлення СЕ і СБ, які дозволять підвищити ефективність без збільшення вартості.
Одним з важливих напрямків робіт зі зниження вартості вихідного напівпровідникового матеріалу є регенерація (очистка, гетерування) низькоякісних кремнієвих пластин, які утворюються внаслідок надмірних забруднень у процесі вирощування кремнію, або пластин, що є відходами мікроелектронного виробництва.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: РОЗРОБКА ВИСОКОЕФЕКТИВНИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок