Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ ІІІ-V ГРУП

ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ ІІІ-V ГРУП

Назва:
ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ ІІІ-V ГРУП
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
34,57 KB
Завантажень:
237
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 
----
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ІМ. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
ВІТУСЕВИЧ СВІТЛАНА ОЛЕКСАНДРІВНА
УДК 621.315.592
ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ
ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ
ЕЛЕМЕНТІВ ІІІ-V ГРУП
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України та Інституті тонких плівок і гетерограниць наукового центру Юліх (Juelich), Німеччина
Науковий консультант:
Доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України
Бєляєв Олександр Євгенович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України, заступник директора з наукових питань
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України
Лисенко Володимир Сергійович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Добровольський Валентин Миколайович
Київський національний університет ім. Тараса Шевченка, професор кафедри напівпровідникової електроніки радіофізичного факультету
доктор фізико-математичних наук, професор
Крайчинський Анатолій Миколайович
Інститут фізики НАН України, провідний науковий співробітник відділу фізики радіаційних процесів
Провідна установа:
Інститут радіофізики і електроніки НАН України, відділ твердотільної електроніки, Харків
Захист відбудеться “ 23 ” червня 2006 р. о 14 год. 15 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: пр. Науки 45, Київ, 03028.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: пр. Науки 45, Київ, 03028.
Автореферат розісланий “ ____ “ травня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
доктор фізико-математичних наук, професор С.С. Іщенко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Одним з найбільш перспективних напрямків розвитку сучасної мікро- та наноелектроніки є дослідження та використання особливостей квантово-розмірних ефектів у напівпровідникових гетероструктурах. Використання властивостей структур пониженої розмірності є засобом підвищення не тільки швидкодії транспорту та робочої частоти для використання в осциляторах терагерцового діапазону та розробки приладів терагерцової електроніки, але й надає можливість спостереження нових транспортних ефектів та пошуку умов для отримання такого важливого ефекту, як негативна диференційна провідність при кімнатній температурі. Матеріали на основі сполук елементів ІІІ-V груп привертають особливу увагу перш за все завдяки їх унікальним фундаментальним властивостям. Технологія AlGaAs/GaAs та AlGaN/GaN гетероструктур в даний час є достатньо розвинутою для можливості отримання високоякісних структур та шарів з нанорозмірними товщинами, в яких можна очікувати високу ефективність тунельного струму та появу нових квантово-розмірних ефектів.
Можливість керування властивостями тонких плівок і шарів зміною технологічних умов їх отримання та подальшої модифікації їх властивостей завдяки використанню квантово-розмірних ефектів суттєво розширює області їх практичного застосування. В той же час, значний прогрес у технології вирощування напівпровідникових структур завдяки розвитку молекулярно-променевої епітаксії (МПЕ) зумовив можливість спостереження такого унікального квантового ефекту, як резонансне тунелювання носіїв струму в двобар’єрному резонансно-тунельному діоді (ДБРТД). Цей ефект не має аналогів в об’ємних напівпровідниках. Сучасні резонансно-тунельні діоди знайшли застосування в медицині як широкодіапазонні джерела випромінювання, де використання традиційних діодів Ганна, а також лавинно-прольотних діодів (IMPATТ) вимагає додаткових схемних рішень для послаблення потужності випромінювання та зниження рівня шумів. Крім того, резонансно-тунельні діоди завдяки високій швидкості процесу тунелювання працюють на частотах гігагерцового (~700 ГГц) діапазону та мають потенціал його розширення до терагерцових частот.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 



Реферат на тему: ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ ЕЛЕМЕНТІВ ІІІ-V ГРУП

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок