Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах галогенідів двовалентних металів

Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах галогенідів двовалентних металів

Назва:
Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах галогенідів двовалентних металів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,82 KB
Завантажень:
10
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 
Міністерство освіти і науки України
Львівський національний університет імені Івана Франка
ЧОРНІЙ
Зиновій Павлович
УДК 535.343.2;535.548
Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах галогенідів двовалентних металів
01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Львів – 2000


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики Українського державного лісотехнічного університету
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
член-кор. НАН України, професор Блонський Іван Васильович, заступник
директора Інституту фізики НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор Носенко Анатолій Єрофійович,
професор Львівського національного університету імені Івана Франка
доктор фізико-математичних наук, професор Шпотюк Олег Йосипович, заступник генерального директора з наукових питань НВП “Карат”
Провідна установа: Національний університет імені
Тараса Шевченка (кафедри оптики і радіаційної фізики)
Захист відбудеться “15” листопада 2000 р. о 15 год. 30 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.35.051.09 у Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою: 79005, м.Львів, вул.Драгоманова, 50, ауд. №1.
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка за адресою: 79005, м.Львів, вул.Драгоманова, 5.
Автореферат розісланий “12” жовтня 2000 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
доктор фіз.-мат.наук, професор Блажиєвський Л.Ф.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Основна задача радіаційної фізики – вивчення механізму генерації точкових дефектів та їх структури в твердих тілах з метою створення матеріалів із заданою радіаційною стійкістю. Крім наукового аспекту, дослідження центрів забарвлення має певний практичний інтерес. Кристали, які містять центри забарвлення, застосовуються в радіаційній дозиметрії, квантовій електроніці, при оптичному записі інформації, в комп’ютерній рентгенофлюорографії тощо.
В якості модельних об’єктів фізика центрів забарвлення використовує лужно-галоїдні кристали (ЛГК). Саме на ЛГК індентифікована структура більшості електронних і діркових центрів забарвлення, відкриті явища автолокалізації дірок і екситонів, екситонного механізму генерації центрів забарвлення. Недолік ЛГК як об’єктів досліджень полягає в неможливості ціленаправлено керувати ефективністю їх радіаційного забарвлення. Радіаційна стійкість кристалів ЛГК визначається співвідношенням величин іонних радіусів катіона та аніона основи і структурні дефекти на її величину практично не впливають. Перспективними як об’єкти досліджень у цьому відношенні є кристали галогенідів двовалентних металів (ГДМ), вивчення радіаційних властивостей яких лише розпочинається (за виключенням кристалів флюоритів). Особливістю класу кристалів ГДМ (кристали, в яких домінують дефекти за Френкелем) є радіаційна стійкість до дії радіації і висока радіаційна чутливість до наявності в кристалах домішкових іонів, що відкриває можливість шляхом легування кристалів підвищувати їх радіаційне забарвлення на два-три порядки порівняно з чистими кристалами. З іншого боку, кристали ГДМ, в яких домінують дефекти за Шотткі, мають високу радіаційну чутливість, на величину якої практично не впливають домішкові іони.
Електронні та діркові центри забарвлення в ЛГК і ГДМ мають ідентичну структуру, що вказує на вирішальну роль аніонної підгратки кристала у формуванні центрів забарвлення. Однак, на відміну від ЛГК, у яких незалежно від температури, при якій опромінюється кристал, основним електронним центром забарвлення виступає F-центр, у кристалах ГДМ структура створених радіацією центрів забарвлення визначається температурою, при якій опромінюється зразок. Зокрема, в області кімнатної температури в кристалах ГДМ, як правило, домінують агрегатні електронні центри забарвлення, локалізовані в околі домішкового іона ((Fn+)A-центри), що вказує на вирішальну роль іонних процесів у формуванні структури центрів забарвлення в кристалах ГДМ і робить їх перспективними матеріалами для квантової електроніки та оптичного запису інформації.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 



Реферат на тему: Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах галогенідів двовалентних металів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок