Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх

Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх

Назва:
Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,78 KB
Завантажень:
163
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Потрійні тверді розчини заміщення на основі сполук АІІІВV є перспекти
вними матеріалами для твердотільної електроніки


Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
ВИКЛЮК
Ярослав Ігорович
УДК 621.315.592
Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх
 
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2002


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової мікроелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича,Міністерство освіти і науки України
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук,доцент Дейбук Віталій Григорович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, доцент кафедри напівпровідникової мікроелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Небола Іван Іванович, Ужгородський національний університет, професор кафедри прикладної фізики;
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Паранчич Степан Юрійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри фізичної електроніки і нетрадиційної енергетики
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, відділ теоретичної фізики
Захист відбудеться 29 жовтня 2002 р. о 15 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м.Чернівці, вул. Коцюбинського, 2
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 27 вересня 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Потрійні тверді розчини заміщення на основі сполук АІІІВV є перспективними матеріалами для твердотільної електроніки. Зокрема, сплави GaxIn1-xP викликають підвищений інтерес у зв'язку з їхнім використанням у світловипромінюючих діодах, напівпровідникових інжекційних лазерах, біполярних транзисторах на гетеропереходах і транзисторах з високою електронною рухливістю, які показують кращі характеристики в порівнянні з GaAs [1]. Вузькощілинні тверді розчини заміщення InAsxSb1-x мають найменшу ширину забороненої зони серед усіх АIIIВV напівпровідників та їх сплавів. Вони широко використовуються в оптоелектронних приладах середнього інфрачервоного діапазону при створенні інфрачервоних детекторів, низькошумних фільтрів систем зв’язку та лазерів з плавною перебудовою довжини хвилі [2]. Однак цей сплав не дає можливості розширити хвильовий діапазон за межу 7.5 мкм. Одним зі шляхів подолання цієї проблеми є використання потрійного розчину заміщення InSb1-хВіх, в якому при збільшенні концентрації Ві відбувається перехід від вузькощілинного напівпровідника до нульщілинного. На сьогодні ще не вдалося експериментально [3, 4] отримати більше 10% Ві як в об’ємному сплаві, так і в тонкій плівці.
Як показують експериментальні дослідження, вищевказані сплави мають структуру цинкової обманки, причому підгратка, що містить атоми двох типів, структурно близька до віртуального кристала і задовольняє закон Вегарда, а інша підгратка, що містить атоми одного типу, сильно деформована, так, що відстані до найближчих сусідніх атомів сильно залежать від складу розчину. Виникаючі при цьому локальні внутрішні напруги можуть стати причиною фазових перетворень, а саме: розпаду і, з іншого боку, формування суперструктур. Крім цього, синтез кристалів відбувається в умовах, відмінних від термодинамічної рівноваги, що зумовлює появу різного роду дефектів, які часто приводять до оптичної активності в напівпровідниках.
Уміння розраховувати електронну структуру, зарядову густину та оптичні характеристики напівпровідникових сплавів є важливою передумовою аналізу фізичних явищ, що спостерігаються як у вказаних матеріалах, так і в приладах на їх основі.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок