Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат українською: РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ / сторінка 5

Назва:
РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,01 KB
Завантажень:
227
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Встановлено, що ЦЗ характеризуються смугами поглинання в області 30000-15000 см-1 і виникають внаслідок перезарядки генетичних дефектів структури (вакансій кисню та вакансій катіонів), переходу іонів Nb5+ в більш низький валентний стан, а також з перезарядкою домішкових іонів Fe, які практично завжди присутні в кристалах. Під впливом нейтронного випромінювання при флюенсах більших ніж 1016 см-2 крім додаткового поглинання у вказаній області спостерігається значне розширення краю фундаментального поглинання, що пов’язано з виникненням нових радіаційних дефектів зміщення.
В другому розділі розглянуті проблеми вирощування кристалів YAlO3:Nd, які відносяться до найбільш широко використовуваних лазерних середовищ. Лазерні середовища на основі YAlO3 (ІАП) мають низку переваг в порівнянні з найбільш поширеними кристалами ітрій-алюмінієвого гранату (ІАГ). Разом з тим є фактори, які стримують використання кристалів YAlO3, зокрема їх схильність до формування дефектів під час вирощування (двійники, центри забарвлення). Тому метою цієї частини роботи була розробка технології отримання високоякісних кристалів YAlO3:Nd великого розміру (діаметр 60 мм та довжина циліндричної частини не менше 100 мм) з низькою концентрацією дефектів, встановлення впливу ростових умов на структурну і оптичну досконалість кристалів та генераційні характеристики лазерів на їх основі.
На початку розділу розглядаються фазова діаграма, особливості приготування шихти, підходи до вирощування, структура монокристалів ІАП та аналізується схильність кристалів до двійникування. Виходячи з проведеного аналізу запропоновано технологічну схему вирощування монокристалів ІАП.
Монокристали YAlO3 вирощувались методом Чохральського з індукційним нагріванням з іридієвих тиглів в атмосфері сухих Ar або N2. Кристали витягувались у напрямі [010] (просторова група Pbnm). Шихта готувалась з оксидів, що мали чистоту 99.99%. Відпалені при температурі 1273 К порошки Y2O3 i Al2O3 змішувались у стехіометричному відношенні і пресувались у таблети. Домішка Nd2O3 вводилась в тигель перед розплавленням у кількості 1 мас. %. Необхідні температурні умови під час росту забезпечувались спеціальним тепловим вузлом з додатковим іридієвим екраном. Оптимальні температурні умови досягалися шляхом зміни відстані від додаткового іридієвого екрана до тигля та швидкості протікання газу. Модифікація форми поверхні розділу кристал-розплав проводилась шляхом підбору відповідної швидкості обертання кристалу.
Після вирощування кожного кристалу до сировини, яка залишалася в тиглі після попереднього процесу, додавалась кількість шихти, що забезпечувала масу розплаву у кожному ростовому процесі 4,3 кг. При цьому в розплаві не компенсувався дефіцит Al2O3, який виникав через більшу швидкість його випаровування в порівнянні з Y2O3. Це дозволило дослідити вплив збагачення розплаву Y2O3 на забарвлення кристалів.
Двійники спостерігались тільки у кристалах, що були вирощені з найбільшим аксіальним градієнтом температури, і конус яких розрощувався з найбільш випуклою в сторону розплаву поверхнею “кристал-розплав”. Області зародження двійникових ламелей є областями з підвищеною швидкістю кристалізації. Переохолодження розплаву в певні моменти процесу росту могло бути спричинене сегрегацією неконтрольованої домішки або зміною співвідношення Y2O3/Al2O3. Це в свою чергу зумовлює більш інтенсивне забарвлення даних областей кристалу. Ідентифіковано всі можливі варіанти двійникування в кристалах ІАП. Зменшення аксіального градієнта та проведення процесів при менш випуклій поверхні розділу дозволили отримати кристали без двійників.
Післяростове забарвлення монокристалів YAlO3:Nd обумовлене, крім поглинання іонів Nd3+, поглинанням центрів, утворених точковими дефектами. Типи дефектів, що формують ЦЗ, визначаються, насамперед, технологічними чинниками, серед яких основними є:
·
склад розплаву (співвідношення основних компонентів);
·
наявність неконтрольованих домішок в розплаві.
Поглинання ЦЗ наростає в ряду послідовно вирощуваних кристалів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок