Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

Назва:
РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,01 KB
Завантажень:
227
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Національний університет “Львівська політехніка”
Сольський Іван Михайлович
УДК. 539.1.074+
621.387.46
РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук
Львів  


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Львівському науково-дослідному інституті матеріалів Науково-виробничого підприємства “Карат” Міністерства промислової політики України та у Національному університеті “Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук,
професор Матковський Андрій Орестович, Національний університет “Львівська політехніка”, завідувач кафедри напівпровідникової електроніки.
Офіційні опоненти:
доктор технічних наук, доцент Ющук Степан Іванович, Національний університет “Львівська політехніка”, професор кафедри фізики.
доктор фізико-математичних наук, професор Болеста Іван Михайлович, Львівський національний університет імені І.Я. Франка, завідувач кафедри радіофізики.
Провідна установа Інститут монокристалів НАН України, НТК “Інститут монокристалів, м. Харків.
Захист відбудеться “ 07 ” грудня 2001 р. о 15 на засіданні спеціалізованої вче-ної ради Д 35.052.12 при Наці-ональному університеті “Львівська політехніка” (79013, м. Львів-13, вул. Ст. Бан-де-ри 12, ауд. 124 головного корпусу).
З дисертацією можна ознайомитись в науковій бібліотеці Наці-онального університету “Львів-ська політехніка” (Львів, вул. Про-фе-сорська, 1).
Автореферат розісланий 06.11.2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Заячук Д.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Починаючи ще з 70-х років розвиток електронної промисловості почав вимагати пристроїв, що побудовані на нових фізичних принципах. До їх числа відносяться: акустооптичні модулятори, затвори, акустоелектронні лінії затримки, фільтри на поверхневих акустичних хвилях (ПАХ); пристрої нелінійної, інтегральної та поляризаційної оптики, нові активні середовища для лазерів, а також сцинтиляційні детектори для моніторінгу навколишнього середовища, томографії і фізики високих енергій. Такі пристрої базуються переважно на використанні монокристалів складних оксидів, що володіють унікальним комплексом фізичних властивостей. Це висунуло в розряд актуальних задачу по розробці відтворюваних технологій отримання великорозмірних монокристалів окисних сполук.
Серед великої групи монокристалів оксидів, що використовуються в якості робочих середовищ пристроїв функціональної електроніки, особливе місце займають кристали ніобату літію, LiNbO3(НЛ), ортоалюмінату ітрію, активовані неодимом, YAlO3:Nd (ІАП:Nd) вольфраматів кадмію,CdWO4(CWO) та свинцю, PbWO4 ( PWO).
LiNbO3 має унікальний набір акустоелектронних, акустооптичних, піроелектричних та нелінійнооптичних властивостей і використовується як робоче середовище у лазерній техніці, нелінійній, поляризаційній та інтегральній оптиці, а також для створення піродатчиків. Монокристали YAlO3, активовані рідкісноземельними елементами, є одними з найперспективніших лазерних матеріалів. CdWO4 – один з основних матеріалів для детекторів рентгенівських томографів та -радіометрів. PbWO4 – ефективний сцинтилятор для використання у фізиці високих енергій.Фізичні властивості перелічених кристалів є анізотропними, завдяки чому при їх вирощуванні можуть появлятись дислокації, тріщини, двійники, центри розсіювання та центри забарвлення. Тому технологічні підходи до отримання даних кристалів мають свою специфіку, зокрема їх вирощування необхідно проводити в умовах мінімальних температурних градієнтів, як у напрямку витягування, так і в радіальному напрямку. Це, в свою чергу, вимагає розв’язання задачі оптимізації режимів витягування, обертання та охолодження кристалів. Важливим для вирішення цієї задачі є підбір розмірів (співвідношення діаметру та висоти) тигля, що необхідно для забезпечення близького до плоского фронту кристалізації.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЙ ВИРОЩУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЕЛИКОРОЗМІРНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СКЛАДНИХ ОКСИДІВ ДЛЯ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок