Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕКСИТОНИ І ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В ШАРУВАТОМУ СЕГНЕТОЕЛАСТИКУ Cs3Bi2I9

ЕКСИТОНИ І ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В ШАРУВАТОМУ СЕГНЕТОЕЛАСТИКУ Cs3Bi2I9

Назва:
ЕКСИТОНИ І ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В ШАРУВАТОМУ СЕГНЕТОЕЛАСТИКУ Cs3Bi2I9
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,59 KB
Завантажень:
487
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ІМЕНІ В. Є. Лашкарьова
СМОЛАНКА ОЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ
УДК 535.346; 535.375.5;
536.42
ЕКСИТОНИ І ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В
ШАРУВАТОМУ СЕГНЕТОЕЛАСТИКУ Cs3Bi2I9
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ–2005


Дисертацією є рукопис
Роботу виконано в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук професор
Моцний Федір Васильович
Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник,
лауреат Державної премії України
в галузі науки і техніки
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук професор
член-кореспондент НАН України
Погорілий Анатолій Миколайович
Інститут магнетизму НАН і МОН України,
зав. відділом тонких плівок,
Заслужений діяч науки і техніки України
доктор фізико-математичних наук професор
Погорелов Валерій Євгенійович
Київський національний університет
ім. Тараса Шевченка,
професор кафедри експериментальної фізики
Провідна організація: | Інститут фізики НАН України, м. Київ
Захист дисертації відбудеться 16 грудня 2005 р. о 14 15 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради К .199.01 в Інституті фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, м. Київ, проспект Науки, 45).
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики
напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, м. Київ, проспект
Науки, 45).
Автореферат розіслано „ 11 ” листопада 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради К .199.01
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Загальнофізичний і практичний інтерес до шаруватих кристалів є закономірним. Їм притаманні характерні властивості електронного та фононного спектрів, пов’язаних з реалізацією, в певній мірі, моделі сильноанізотропних середовищ. Вони знаходять практичне застосування в якості високотемпературних надпровідних матеріалів; накопичувачів електричної енергії (високоємних суперконденсаторів та елементів живлення); датчиків температури, тиску і ? – випромінювання; „гнучких” транзисторів; елементів пам’яті тощо.
Одним із визначальних факторів застосування шаруватих сполук є їх характерна кристалічна структура, що являє собою набір слабо зв’язаних між собою плоскопаралельних квазідвовимірних шарових пакетів, які легко відшаровуються при механічних впливах. В шаруватих кристалах сили хімічного зв’язку між атомами в межах шарового пакета і між шаровими пакетами різні, що дозволяє розглядати такі кристали як квазідвовимірні. В межах шарового пакета діють сильні іонно-ковалентні зв’язки, а між шаровими пакетами – слабкі ван дер ваальсові. Своєрідність хімічного зв’язку відбивається на оптичних характеристиках шаруватих кристалів. Так, у їх спектрах можна виділити області, що пов’язані з властивостями об’єму, з одного боку, та міжшарової взаємодії, з іншого. Ці особливості добре проявляються при дослідженні спектрів в області низьких температур. Окрім того, дані з оптичних досліджень є цінними при розрахунках зонної структури шаруватих кристалів.
Останнім часом значна увага приділяється кристалам, шаруватий каркас яких сформовано галогенними октаедрами, всередині котрих знаходяться катіони елементів п’ятої групи. Загальна формула цих речовин – A3IB2VX9VII. До них належить один із перспективних слабовивчених сегнетоеластиків Сs3Bi2I9, в якому нижче температури Кюрі (ТС) виникає спонтанна деформація оСП. В Сs3Bi2I9 ТС  К і є точкою структурного сегнетоеластичного фазового переходу.
Актуальність дослідження сегнетоеластиків базується на застосуванні їх в оптиці, акустоелектроніці та електромеханіці. На основі сегнетоеластиків виготовляють оптичні затвори і ключі, елементи логіки і пам’яті, дефлектори і сканатори, прилади відображення інформації тощо.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ЕКСИТОНИ І ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В ШАРУВАТОМУ СЕГНЕТОЕЛАСТИКУ Cs3Bi2I9

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок