Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Генераційно - рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію

Генераційно - рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію

Назва:
Генераційно - рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
30,94 KB
Завантажень:
371
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка
Скришевський Валерій Антонович
УДК 621.383:621.315
Генераційно - рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ-2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Київському національному університеті імені Тараса Шевченка
Науковий консультант-
доктор фізико-математичних наук, професор, академік АПН України
Третяк Олег Васильович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
перший проректор, завідувач кафедри
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, академік НАН України
Бродин Михайло Семенович,
Інститут фізики НАН України, директор, завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Комащенко Валерій Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Литовченко Петро Григорович,
Інститут ядерних досліджень НАН України, завідувач відділу
Провідна установа: Чернівецький державний університет ім. Ю.Федьковича, м.Чернівці
Захист відбудеться “15” жовтня 2001 р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої
вченої ради Д 26.001.31 у Київському національному університеті імені Тараса Шевченка
(03022, м.Київ, проспект акад. Глушкова 6).
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Київського національного університету
імені Тараса Шевченка (м.Київ, вул. Володимирська 64)
Автореферат розісланий “11” вересня 2001 р.
Вчений cекретар
спеціалізованої вченої ради А.Г.Шкавро
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сучасний стан напівпровідникової мікроелектроніки визначається, в першу чергу, успіхами у використанні кремнієвих технологій. Проте застосування кремнієвих структур в оптоелектронних системах обробки інформації стримується неможливістю створення світловипромінюючих діодів на основі кристалічного кремнію. Надія на створення кремнієвої оптоелектроніки, до якої б входили кремнієві фотоприймачі, оптичні середовища та джерела світла, виникла у 1990 році, коли було відкрито ефект видимої фотолюмінесценції (ФЛ) у поруватому кремнію (ПК).
Шари ПК, які отримуються при анодному травленні пластин Si в розчинах HF, - це матеріал, якому притаманні унікальні електронні та оптичні властивості, відсутні у об’ємного кремнію. В першу чергу, це виникнення розмірного квантування носіїв заряду у кремнієвих квантових дротах, або в стінках між сусідніми порами, або в квантових точках шарів, якщо діаметр пор менший 2.0-4.0 нм. Тоді в непрямозонному кремнії можливе спостереження прямих оптичних переходів за рахунок просторового обмеження носіїв заряду та невизначеності відповідних компонент квазіімпульсів. Із зменшенням діаметру нанокристалітів ширина забороненої зони зростає від 1.1 до 3.0 eВ. Такий матеріал характеризується дуже малою концентрацією вільних носіїв заряду та високим питомим електричним опором 104-108 Ом.см, електронна та діркова рухливість в ньому змінюється в межах 10-3 - (2-4) cм2/В.сек.
На сьогодні ПК використовується та розглядається як перспективний матеріал для створення структур типу кремній на ізоляторі (буферний шар), світлодіодів та плоских дисплеїв (електролюмінесценція), діелектричних оптичних середовищ, сонячних елементів (антивідбиваюче покриття) та сенсорів.
Використання ПК в кремнієвій сонячній енергетиці перспективно завдяки технічній простоті виготовлення тонких поруватих шарів на n+- емітері з характеристиками, найкращими серед відомих одношарових антивідбиваючих плівок. Крім того, для підвищення ефективності сонячних елементів (СЕ) можуть бути використані ефекти ФЛ у ПК, гетерування металічних домішок, модуляції ширини забороненої зони в широкому діапазоні, ізоляційні властивості ПК тощо. Деякі з цих ефектів вже досліджувалися експериментально, інші були передбачені теоретично. Проте досі ефективні СЕ з шарами ПК ще не розроблено.
Шари ПК можна використовувати й для створення хімічних сенсорів завдяки унікальній комбінації кристалічної структури та гігантській зовнішній поверхні (200-500 м2/cм3), що може значно підсилити ефекти адсорбції.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: Генераційно - рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок