Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ШУМИ В ПІДСИЛЮВАЧАХ З MESFET- та HEMT- СТРУКТУРАМИ І МЕТОДИ ЇХ ЗНИЖЕННЯ

ШУМИ В ПІДСИЛЮВАЧАХ З MESFET- та HEMT- СТРУКТУРАМИ І МЕТОДИ ЇХ ЗНИЖЕННЯ

Назва:
ШУМИ В ПІДСИЛЮВАЧАХ З MESFET- та HEMT- СТРУКТУРАМИ І МЕТОДИ ЇХ ЗНИЖЕННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,19 KB
Завантажень:
346
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
імені В.Н.Каразіна
Корольов Олексій Михайлович
УДК 537.962: 621.382.32
ШУМИ В ПІДСИЛЮВАЧАХ З MESFET- та HEMT- СТРУКТУРАМИ І МЕТОДИ ЇХ ЗНИЖЕННЯ
01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків-2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Радіоастрономічному інституті Національної Академії Наук України.
Науковий керівник:
член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор Шульга Валерій Михайлович, Радіоастрономічний інститут НАН України, заступник директора з наукової роботи (м. Харків).
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор Прохоров Едуард Дмитрович, Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна, завідувач кафедри напівпровідникової та вакуумної електроніки;
доктор фізико-математичних наук, ст. н. с. Шнирков Володимир Іванович, Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, старший науковий співробітник (м. Харків).
Провідна установа: Інститут радіофізики та електроніки ім. О.Я. Усикова
НАН України, відділ твердотільної електроніки (м. Харків).
Захист відбудеться “11” лютого 2005 р. о 14-00 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради Д 64.051.02 Харківського національного університету
ім. В.Н. Каразіна за адресою: 61077, м. Харків, пл. Свободи 4, ауд. 3-9.
З дисертацією можна ознайомитись у Центральній науковій бібліотеці
Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна за адресою:
61077, м. Харків, пл. Свободи 4.
Автореферат розісланий “ 24 ” грудня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Ляховський А. Ф.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Дослідження шумів у напівпровідникових приладах в усіх діапазонах спектра електромагнітних коливань безпосередньо пов’язані з рішенням практичних задач що до підвищення чутливості приймальних пристроїв. На частотах, орієнтовно, від 0,1 до 250 ГГц, особливу увагу фахівців привертають найбільш перспективні активні елементи підсилювачів - арсенідгаллієві (MESFET) і гетероструктурні (із високою рухливістю електронів, HEMT) польові транзистори. Період якісного поліпшення характеристик підсилювачів у сантиметровому (см) і міліметровому (мм) діапазонах довжин хвиль не перевершує року. У дециметровому (дм) діапазоні ситуація відрізняється: на фоні зростання якості активних елементів помітно відстають шумові характеристики підсилювальних пристроїв. Так, мінімальна власна шумова температура (Tmin) існуючих PHEMT (псевдоморфних HEMT) у дм діапазоні становить 7-12 К навіть без охолодження і, по аналогії із см діапазоном, у середині дм діапазону слід було б очікувати шумової температури підсилювачів (Тn) близько 10-15 К. Фактично ж удається отримувати Тn у межах 25-50 К. Подальшого зниження Тn, що є необхідним для багатьох застосувань (зв’язок, радіоастрономія та ін.), можна досягти за допомогою охолодження підсилювача до кріогенних температур, але цей засіб, внаслідок недоліків сучасної кріотехніки (громіздкість, великі експлуатаційні витрати тощо), набув досить обмеженого розповсюдження. Отже, питання про причини суттєвого (для найбільш малошумких PHEMT – у декілька разів) розходження Tmin і Tn має принциповий характер, і без відповіді на нього прогрес у сфері приймальних пристроїв дм діапазону (що до підвищення чутливості) є проблематичним.
Досягнення граничних параметрів елемента чи приладу, як правило, потребує на розширення й уточнення базових теоретичних уявлень. У контексті цієї роботи мають бути досліджені основні чинники й механізми шумоутворення у польовому транзисторі та його електродинамічному оточенні. Слід зазначити, що пошукові роботи відповідної тематики переважно відносяться до частот вище 3 ГГц (см, мм діапазони), проте цілий ряд питань, важливих в усіх діапазонах довжин хвиль, саме у дециметровому діапазоні набувають особливого значення.
По-перше, необхідно виділити проблему широкосмугового узгодження транзистора по входу, тобто забезпечення оптимального коефіцієнта відбиття (Гs).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ШУМИ В ПІДСИЛЮВАЧАХ З MESFET- та HEMT- СТРУКТУРАМИ І МЕТОДИ ЇХ ЗНИЖЕННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок