Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ВИПРОМІНЮВАННЯ З ОБЛАСТІ ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Si НА ЙОГО ТЕПЛОВЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В ІЗОТЕРМІЧНИХ УМОВАХ

МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ВИПРОМІНЮВАННЯ З ОБЛАСТІ ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Si НА ЙОГО ТЕПЛОВЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В ІЗОТЕРМІЧНИХ УМОВАХ

Назва:
МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ВИПРОМІНЮВАННЯ З ОБЛАСТІ ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Si НА ЙОГО ТЕПЛОВЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В ІЗОТЕРМІЧНИХ УМОВАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,10 KB
Завантажень:
337
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
ЧИРЧИК СЕРГІЙ ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 621.315.592
МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ВИПРОМІНЮВАННЯ З ОБЛАСТІ ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Si
НА ЙОГО ТЕПЛОВЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ
В ІЗОТЕРМІЧНИХ УМОВАХ
(01.04.07. – фізика твердого тіла)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2006
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України
Науковий керівник | доктор фізико-математичних наук, професор
Малютенко Володимир Костянтинович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділом № 24
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Сальков Євген Андрійович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, головний науковий співробітник
кандидат фізико-математичних наук
Вайнберг Віктор Володимирович
Інститут фізики НАН України,
старший науковий співробітник
Провідна установа |
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка, м. Київ
Захист відбудеться 17 листопада 2006 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої Вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України
за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 41
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий 4 жовтня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук О.Б.Охріменко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Інтенсивний розвиток напівпровідникової оптоелектроніки, що визначає прогрес в багатьох областях техніки, потребує подальшого розширення і удосконалення її елементної бази. Традиційними підходами до генерації в інфрачервоних (ІЧ) діапазонах спектру 3–5 мкм і 8–12 мкм (вікна прозорості атмосфери) є збудження люмінесценції вузькозонних напівпровідників (фотонні випромінювачі) чи генерація ТВ металевих або напівпровідникових плівок при пропусканні електричного струму (теплові випромінювачі). Світлодіодні випромінювачі характеризуються високою швидкодією і вузьким спектральним діапазоном. Квантовій вихід в таких структурах зменшується при зменшенні ширини забороненої зони напівпровідника та при зростанні температури і не перевищує кількох процентів. Збільшення площі активної області пов’язано з проблемою однорідності інжекції. Просторове протікання струму супроводжується його сильним концентруванням поблизу приконтактних ділянок (current crowding effect) і збільшення площі не призводить до значного збільшення інтегральної потужності випромінювання. На відміну від них, потужність теплових випромінювачів зростає з підвищенням температури. Такі джерела випромінювання працюють у широкому спектральному діапазоні й дозволяють одержувати високі значення вихідної потужності випромінювання. Однак, основним їх недоліком є висока інерційність, яка досягає декількох мілісекунд, що робить їх непридатними для тестування нових типів швидкісних тепловізійних приладів. Останнім часом велика увага приділяється створенню джерел для імітації об’єктів в ІЧ діапазоні спектру, які необхідні для тестування ІЧ систем теплобачення, що працюють у “вікнах” прозорості атмосфери 3–5 і 8–12 мкм. Актуальними стають питання швидкодії і спектральної залежності цих випромінювачів. Крім того, оскільки об’єкти, які досліджуються ІЧ системою, можуть мати різний тепловий контраст в різних діапазонах спектру (наприклад, об’єкт, який гарно розпізнається в одному діапазоні, може зливатися з фоном в іншому), виникає необхідність створення багатоспектральних ІЧ випромінювачів, здатних імітувати об’єкти в ІЧ діапазоні спектру з тепловим контрастом, що розрізняється при спостереженні в різних спектральних діапазонах. Проблемним залишається питання імітації об’єктів з низькими (Т<300 K) температурами.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: МЕХАНІЗМ ВПЛИВУ ВИПРОМІНЮВАННЯ З ОБЛАСТІ ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Si НА ЙОГО ТЕПЛОВЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В ІЗОТЕРМІЧНИХ УМОВАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок