Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ АКТИВНИХ ОБРОБОК НА ПРОЦЕСИ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ ОМІЧНИХ ТА БАР’ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО КАРБІДУ КРЕМНІЮ

ВПЛИВ АКТИВНИХ ОБРОБОК НА ПРОЦЕСИ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ ОМІЧНИХ ТА БАР’ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО КАРБІДУ КРЕМНІЮ

Назва:
ВПЛИВ АКТИВНИХ ОБРОБОК НА ПРОЦЕСИ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ ОМІЧНИХ ТА БАР’ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО КАРБІДУ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,33 KB
Завантажень:
216
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ІМ. В.Є.ЛАШКАРЬОВА НАН УКРАЇНИ
 
КУДРИК ЯРОСЛАВ ЯРОСЛАВОВИЧ
УДК 621.382
ВПЛИВ АКТИВНИХ ОБРОБОК НА ПРОЦЕСИ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ ОМІЧНИХ ТА БАР’ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО КАРБІДУ КРЕМНІЮ
05.27.06 – технологія, обладнання та
виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ - 2004


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
Науковий керівник
Доктор технічних наук, професор
Конакова Раїса Василівна, Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є.Лашкарьова НАН України, провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
Доктор фіз.-мат. наук, професор Комащенко Валерій Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ, зав. відділом
доктор фіз.-мат. наук, професор Чайка Василій Євгенійович,
Міністерство освіти і науки України, м. Київ,
Київський Університет зв'язку і телекомунікаційних технологій
Провідна організація:
Інститут металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться "21" січня 2004 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01. в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: м. Київ, 03028, проспект Науки 45
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інтстуту фізики
напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України.
(03028, Київ, проспект Науки 45)
Автореферат розісланий "21" грудня 2004 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
Кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність роботи. Успіхи високотемпературної твердотільної електроніки, базовим матеріалом якої є карбід кремнію, як показано в ряді робіт, виконаних у ФТІ ім. А.Ф. Іоффе РАН, Санкт-Петербурзькому державному електротехнічному Університеті “ЛЕТI”, в дослідницьких центрах Японії, Німеччини, Франції, Італії, США, залежать не лише від якості вихідного напівпровідникового матеріалу, а й у значній мірі визначаються властивостями омічних і бар’єрних контактів. Особливо це стосується мікрохвильових діодів із бар’єром Шотткі, для яких при високому рівні вхідної потужності дуже суттєвою стає термостабільність контактів. Оскільки фізико-хімічні і структурні властивості перехідного шару в контакті метал–напівпровідник обумовлюють якість і надійність дискретних напівпровідникових приладів та інтегральних схем, то залишається актуальним пошук матеріалів для контактів, які забезпечують мінімально можливі перехідні шари, або взагалі не взаємодіючих з напівпровідником до температур, що значно перевищують робочі. Як було показано на прикладі контактів до кремнію та арсеніду галію, таким вимогам відповідають аморфні та квазіаморфні плівки нітридів та боридів титану. Це забезпечується, перш за все, хімічною пасивністю та низькою дифузійною проникністю таких плівок в сукупності з їхньою високою електропровідністю. Саме таким вимогам повинні відповідати бар’єрні контакти до карбіду кремнію, аби було можливо реалізувати його унікальні високотемпературні властивості. В останні роки активізувався пошук таких контактів до карбіду кремнію (переважно карбіди, вольфраміди, нітриди туготопких металів). У відповідності з цим, актуальним є дослідження бар’єрних контактів до карбіду кремнію, сформованих боридами титану та цирконію.
Зв’язок роботи з науковими програмами:
Дисертаційна робота виконувалася в рамках тем: “Вивчення впливу надвисокочастотного випромінювання на утворення, розпад і відпал домішково-дефектних комплексів у гетерогенних структурах на основі сполук А3В5”, 2000-2002 рр. (Постанова Бюро ВФА НАН України № 12 від 16.11.1999, номер держреєстрації 0100 U000119.
1. “Розробка та дослідження мікрорельєфних фотоперетворювачів із гетероепітаксійними переходами InGaAs/GaAs та AlGaAs/GaAs” (Проект УНТЦ UZB-56(J), 2002-2004 рр.).
2. “Фізичні та фізико-технічні основи створення напівпровідникових матеріалів і функціональних елементів для систем сенсорної техніки", 2000-2002 рр.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ВПЛИВ АКТИВНИХ ОБРОБОК НА ПРОЦЕСИ ФОРМУВАННЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ ОМІЧНИХ ТА БАР’ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО КАРБІДУ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок