Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами

Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами

Назва:
Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,97 KB
Завантажень:
243
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ „ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Шуригін Федір Михайлович
УДК 621.315.592
Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами
05.27.06 – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Львів – 2008


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Національному університеті "Львівська політехніка" Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник | Доктор технічних наук, с.н.с.
Большакова Інеса Антонівна
Завідувач лабораторії магнітних сенсорів Національного університету “Львівська політехніка”, м. Львів.
Офіційні опоненти: | Доктор технічних наук, с.н.с.
Вербицький Володимир Григорович,
Директор інституту мікроприладів НАН України, м. Київ
Доктор технічних наук, доцент
Стахіра Павло Йосипович,
Професор кафедри „Електронні прилади” Національного
університету „Львівська політехніка”, м. Львів
Захист відбудеться “30” червня 2008 р. о 1430 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д35.052.12 у Національному університеті "Львівська політехніка" (79013, Львів-13, вул. С. Бандери, ).
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Національного університету "Львівська політехніка" (79013, Львів, вул. Професорська, ).
Автореферат розісланий ” ” травня 2008 р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради Заячук Д. М.


загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Подальший розвиток електронної техніки, зокрема вимірювальних систем, ставить нові вимоги щодо матеріалів, на основі яких створюються ці системи. На сьогоднішній день ефективний розвиток практично будь якої наукової чи промислової галузі не обходиться без використання сучасної вимірювальної техніки та систем автоматизації. Вимірювальна апаратура та системи автоматизації, в яких використовуються напівпровідникові матеріали, постійно розширюють галузі використання. Зростаючі потреби вимірювальної апаратури вимагають появи як нових матеріалів, так і відомих вже матеріалів в нових формах.
Одним з відомих напівпровідникових матеріалів є арсенід індію, який зарекомендував себе в електронній техніці в зв’язку із високою рухливістю носіїв заряду. Завдяки його електрофізичним властивостям розроблялися різні технологічні підходи до вирощування об'ємних кристалів з рідкої фази та тонких плівок арсеніду індію. Особливий інтерес для наукових досліджень та практичного застосування представляють мікрокристали арсеніду індію у формі ниткоподібних монокристалів, оскільки вони характеризуються високою досконалістю структури та поверхні, мінімальним вмістом власних дефектів у порівнянні з об'ємними та тонкоплівковими зразками, а також низькою вартістю технологічного обладнання для їх вирощування.
Завдяки мінімальній кількості власних структурних дефектів ниткоподібні монокристали арсеніду індію представляють собою прекрасний модельний матеріал для наукових досліджень, пов’язаних із введенням в них дефектів, викликаних дією зовнішніх факторів таких, наприклад, як опромінення прискореними електронами з високою енергією.
Дана дисертаційна робота спрямована на вирішення задач створення технології вирощування легованих мікрокристалів арсеніду індію методом осадження з газової фази в хлоридній системі та дослідження впливу високоенергетичних електронів на властивості цих кристалів. Завдання дослідження впливу опромінення електронами на параметри арсеніду індію, так само як і створення технології вирощування з хлоридної системи ниткоподібних мікрокристалів цього матеріалу раніше не вирішувалися. Дослідження по вивченню впливу електронного опромінення на властивості ниткоподібних мікрокристалів арсеніду індію доведені до практичних результатів – визначення оптимального складу InAs<Sn>, стійкого до опромінення електронами, та використання їх в магнітометричних модулях космічних апаратів, а також в диференційних магнітометрах.
Таким чином, тема дисертаційної роботи є актуальною і перспективною з точки зору використання її результатів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок