Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ / сторінка 10

Назва:
тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,80 KB
Завантажень:
106
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
Проте при напрузі V»1,25 мВ (що близько до щільової напруги ніобію, V=DNb/e), на ВАХ з’являється структура, що за формою близька до східця струму. Висота і форма східчатої структури дуже чутлива до магнітного поля,
Рис. 11. Початкова ділянка ВАХ пристрою Nb/Al-AlOx-Al-AlOx-Nb з товщиною середнього електроду dAl =14 нм, при T=1,82 K та H=0, 60 Гс, та 100 Гс (суцільна, штрихова, та пунктирна лінії, відповідно). На вставці - залежність висоти східця від магнітного поля для двох ідентичних пристроїв (зачорнені та відкриті кружки).
прикладеного в площині переходів, так що в полі 100 Гс вона зникає (пунктирна лінія на рис. 11). На вставці рис. 11 подано залежність висоти східця від величини магнітного поля для двох ідентичних пристроїв. Висота східця визначалась як струм при V»1,25 мВ (ця напруга відмічена стрілкою на рис. 11) по відношенню до фонового струму при цій напрузі, що залишається в полі 100 Гс. Можна помітити, що ця залежність має мінімум при H=0 і проявляє ознаки періодичності в магнітному полі. Висока чутливість до магнітного поля є переконливим свідченням того, що ефект пов’язаний з когерентним електронним транспортом через пристрій. Зауважимо, що величина когерентного струму при скінченній напрузі (рівна висоті східця) набагато більша струму Джозефсона при V=0. Наскільки нам відомо, такий ефект на джозефсонівських переходах спостерігається вперше.
Поява когерентного струму при скінченній напрузі пояснюється наявністю в SINIS (де N - нормальний метал або надпровідник із меншою енергетичною щілиною, ніж в S) переході зонної структури, обумовленої виникненням андріївських зв’язаних станів (АЗС) [48,49,А22]. Оскільки енергетична щілина в середньому алюмінієвому електроді значно менша (або взагалі відсутня) в порівнянні з зовнішніми ніобієвими електродами, для квазічастинок в ньому виникає потенціальна яма. На стінках цієї ями електронні збудження терплять андріївське відбиття, так що вони можуть відбиватися як дірки, і навпаки. В результаті, внаслідок інтерференції квазіелектронів та дірок, можуть виникати АЗС з енергіями En(j)~DNb. Оскільки частина імпульсу квазіелектрона pe передається утвореній при андріївському відбитті куперівській парі, то імпульс відбитої квазідірки ph зменшується, ph=pe-ps, дe ps~pD/vF~ (тут vF -швидкість Фермі, x - довжина когерентності). Це призводить до фазового зсуву між хвильовими функціями налітаючого електрона та відбитої дірки (тут товщину середнього шару SINIS-переходу позначено dN). З когерентними процесами андріївського відбиття можна пов’язати довжину хвилі ls~2p/ps. Оскільки ps<<pF - імпульсу Фермі, то ls набагато більша, ніж довжина хвилі нормальних електронів lN~2p/pF, що забезпечує можливість фазової когерентності між S-електродами при малій товщині N-плівок dN~x.
Слід відзначити, що причина виникнення східчатої структури, зображеної на рис. 10 (крива а), інша, ніж показаної на рис. 11. Нами було показано [A23,A24], що східці 1,2 на рис. 10 відповідають щільовим особливостям, зумовленим нерівноважними ефектами, розглянутими в розділі 4; проте ці особливості в даному випадку спостерігаються при напрузі, вдвоє меншій звичайної [45,A15]. Причиною цього може бути відомий із області напівпровідникових надграток ефект утворення електричних доменів [50], коли прикладена до багатобар’єрної системи напруга не ділиться порівну між всіма бар’єрами, а повністю падає на одному або кількох з них.
В розділі 6 розглянуто деякі аспекти виготовлення та характеристики структур з числом бар’єрів n>2. Зокрема, встановлено, що для використаної техніки виготовлення, якість багатобар’єрних структур не погіршується по висоті структури принаймні при кількості періодів порядку десяти [A3,A4]. Проте в пристроях на основі таких багатобар’єрних структур, при електричному зміщенні до величини напруги, що відповідає сумі щілин, може виникати перегрів та самоінжекція нерівноважних квазічасток внаслідок утрудненої дифузії квазічастинок із внутрішніх шарів [A9].

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок