Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Українською реферат: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ / сторінка 12

Назва:
тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,80 KB
Завантажень:
106
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
В роботі проаналізована можливість застосування переходу S1IS2 в ролі прямого пропорційного детектора.
ВИсНОВКИ
В результаті вирішення наукової проблеми, сформульованої в меті та задачах даного дослідження, виявлено ряд нових особливостей джозефсонівського тунелювання в множинних перeходах типу (SIS)n з nі2, де S - надпровідник, І - ізолятор. Встановлено, що переходи типу SINIS (де N - тонкий, порядку довжини когерентності, шар нормального металу або надпровідника із зменшеною енергетичною щілиною порівняно з S) є новим класом джозефсонівських переходів, в яких можливе когерентне тунелювання як при нульовій, так і при кінцевій напрузі. На основі проведених досліджень запропоновано нові кріоелектронні пристрої. Зокрема, встановлено, що:
1. В двохбар’єрних пристроях типу SISўIS з малою товщиною електроду Sў (набагато меншою лондонівської глибини проникнення магнітного поля) навіть в стаціонарному стані існує просторова кореляція фаз окремих переходів. В цьому випадку вся система як ціле може бути охарактеризована ефективною джозефсонівською глибиною проникнення lJ, яка може бути значно більшою, ніж lJ, що характеризує окремі переходи. Тому пристрій як ціле може підтримувати більш рівномірний розподіл струму по площі, ніж окремі переходи при їх незалежному електричному зміщенні. Це приводить до того, що двохбар’єрний пристрій може мати величину критичного струму, що значно перевищує величину критичного струму кожного з переходів, що складають пристрій, взятого окремо.
2. Двохбар’єрна сильнозв’язана джозефсонівська тунельна система SISўIS (з товщиною середнього Sў-шару порядку довжини когерентності в S) при достатньо високій прозорості тунельних бар’єрів проявляє аномальну залежність висоти східців нульового поля, обумовлених когерентною модою, від постійного магнітного поля, та дробні східці Шапіро під дією високочастотного електромагнітного поля. Ці властивості, разом із виявленим ефектом роздвоєння періоду дифракційної картини для індивідуальних переходів двохбар’єрної системи, підтримують припущення про наявність в ній відхилення від джозефсонівського співвідношення I=Icsinj.
3. Подвійні переходи SINIS (де N - нормальний метал або надпровідник із меншою, ніж в S, енергетичною щілиною) з товщиною середнього шару N порядку довжини когерентності в S електродах, можуть підтримувати аномально високий критичний струм Джозефсона. Величина його перевищує максимально можливий критичний струм окремо взятих переходів SIN та NIS, якщо вважати їх послідовно сполученими, а взаємодію N та S електродів розглядати в рамках тунельної моделі ефекту близькості. Виявлений ефект свідчить про наявність когерентного тунелювання через обидва тунельні бар’єри при нульовій напрузі і може бути поясненим в термінах андріївських зв'язаних станів, що утворюються в системі.
4. На ВАХ подвійних тунельних переходів Nb/Al-AlOx-Al-AlOx-(Al/)Nb виявлено дуже чутливу до слабкого магнітного поля нову субщільову східчату структуру, максимальний струм якої може значно перевищувати постійний струм Джозефсона при нульовій напрузі. Наявність такої субщільової структури є доводом наявності когерентного тунелювання через два тунельні бар’єри при скінченній напрузі. Особливість може бути пояснена виникненням в системі когерентного каналу тунелювання через андріївські зв’язані стани.
5. Виявлено зонну структуру в провідності пристроїв типу SINININIS (де S - ніобій, N - алюміній), яка майже періодична по енергії і існує до енергій, що в кілька разів перевищують значення енергетичної щілини ніобію. Форма та положення особливостей зонної структури чутливі до слабкого (порядку 100 Гс) магнітного поля і тому вона є результатом когерентного електропереносу через множинний бар’єрний шар INININI.
6. Форма спадаючої ділянки ВАХ при (DPb-DSn)/e<V<(DPb+DSn)/e тунельних переходів Sn-I-Pb, яка при вимірюваннях в режимі “джерела напруги” не описується стандартною теорією тунелювання в надпровідниках, обумовлена наявністю релаксаційних коливань між двома квазічастинними гілками ВАХ.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок