Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ / сторінка 17

Назва:
тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,80 KB
Завантажень:
106
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
- 1999. - P. 232-234.
Невірковець І. П. Тунелювання в багатобар’єрних та несиметричних надпровідникових структурах. - Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.22 - надпровідність. - Інститут металофізики НАН України, Київ, 2000.
Дисертацію присвячено вивченню механізмів електронного переносу в багатобар’єрних та несиметричних тунельних переходах. Зокрема, виявлено ряд нових особливостей джозефсонівського тунелювання в множинних перeходах типу (SIS)n з nі2, де S - надпровідник, І - ізолятор. Встановлено, що переходи типу SINIS (де N - тонкий, порядку довжини когерентності, шар нормального металу або надпровідника із зменшеною енергетичною щілиною порівняно з S) є новим класом джозефсонівських переходів, в яких можливе когерентне тунелювання як при нульовій, так і при кінцевій напрузі. На основі проведених досліджень запропоновано нові (зокрема трьохвивідні) пристрої, що можуть знайти застосування в кріоелектроніці.
Ключові слова: надпровідність, тунельний ефект, ефект Джозефсона, андріївське відбивання, нерівноважна надпровідність, ефект близькості, релаксаційні осциляції
Невирковец И. П. Туннелирование в многобарьерных и несимметричных сверхпроводниковых структурах. - Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.22 - сверхпроводимость. - Институт металлофизики НАН Украины, Киев, 2000.
Диссертация посвящена изучению механизмов електронного переноса в многобарьерных и несимметричных туннельних переходах. В частности, обнаружено ряд новых особенностей джозефсоновского туннелирования в множественных перeходах типа (SIS)n с nі2, где S - сверхпроводник, І - изолятор. Установлено, что переходы типа SINIS (где N - тонкий, порядка длины когерентности, слой нормального металла либо сверхпроводника с уменьшенной энергетической щелью по сравнению с S) является новым классом джозефсоновских переходов, в которых возможно когерентное туннелирование как при нулевом, так и при конечном напряжении. На базе проведенных исследований предложены новые (в частности, трёхвыводные) устройства, которые могут найти применение в криоэлектронике.
Ключевые слова: сверхпроводимость, туннельний эффект, эффект Джозефсона, андреевское отражение, неравновесная сверхпроводимость, эффект близости, релаксационные осцилляции
Nevirkovets I. P. Tunneling in multi-barrier and asymmetric superconducting structures. - Manuscript.
Thesis for a doctor’s degree in physics and mathematics by speciality 01.04.22 - superconductivity. - The Institute for Metal Physics of the National Academy of Sciences of the Ukraine, Kyiv, 2000.
The dissertation is devoted to studying mechanisms of the electron transport in multi-barrier and asymmetric tunnel junctions.
It is shown that in a double-barrier SISўIS device (here S and I are a superconductor and an insulator, respectively) with a thin (thinner than the London penetration depth) middle Sў layer, even in the stationary state, there is a spatial correlation between phase differences characterizing separate junctions. Such a system can be characterized by an effective Josephson penetration depth, lJ, that can be considerably larger than lJ for separate junctions from the stack. As a result, the device as a whole (with a proper lateral size) may have considerably higher Josephson critical current than that for separate junctions.
If the thickness of the Sў layer is of the same order as the coherence length in S, x, and the transparency of the barriers is sufficiently high, then the SISўIS device displays peculiar behavior of zero-field steps in magnetic field and fractional Shapiro steps under microwave radiation. These properties, together with a peculiar critical current vs. magnetic field dependence observed for a separate junction from the stack, suggest the possibility of unusual current-phase dependence in the system.
A number of new properties were found for high-transparent SINIS devices (where N is a normal metal, or a superconductor with the transition temperature much lower than that in S; in the experiment, S was Nb and N was Al) with the thickness of the N layer of order of x: anomalously high Josephson critical current, novel magnetic-field-sensitive subgap structure in current-voltage characteristics (CVC), gap-difference feature at a voltage D/e, where D is the energy gap of Nb, etc.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: тунелюваннЯ в багатобар’Єрних та несиметриЧних надПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок